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Si MOSFET技術(shù)的改進，特別是過去的十年里，極大地降低了服務(wù)器、筆記本電腦、臺式電腦和其它計算器件的功耗。這些改進是通過將主要MOSFET參數(shù)（如導(dǎo)通電阻Rds(on)和柵極電荷Qg）最小化來實現(xiàn)的，從而讓同步降壓轉(zhuǎn)換器的效率達到了90%以上。利用Si MOSFET技術(shù)不斷降低這些參數(shù)，DC-DC轉(zhuǎn)換器效率的連續(xù)改進還取決于之前嚴重忽視的其它MOSFET參數(shù)。其中一個主要參數(shù)就是MOSFET的柵極電阻（Rg）。
IR IRF6811和IRF6894DirectFET?Plus MOSFET采用了IR最新一代Si技術(shù)，Rds(on)和柵極電荷（Qg）比上一代器件低得多，并且功率損耗也減少了25%之多。此外，這些器件還提供了與超低柵極電阻（Rg）有關(guān)的所有優(yōu)勢，從而通過將DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗降至最低水平而進一步提高了效率。
IRF6811 控制MOSFET 及IRF6894 同步MOSFET 分別以小罐及中罐供貨。25V DirectFETplus 組件結(jié)合了業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻和柵極電荷以及低電荷，將傳導(dǎo)和開關(guān)損耗降到最低。IRF6894 還設(shè)有集成式單片肖特基二極管，可降低由體二極管傳導(dǎo)和反向恢復(fù)導(dǎo)致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET 與上一代器件的占位面積兼容。新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
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