使用IR新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術平臺，第八代 (Gen8) 1200V IGBT 配備新一代溝道柵極場截止技術，為工業(yè)及節(jié)能應用提供卓越性能。全新的 Gen8 設計可讓高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。
新技術針對電機驅(qū)動應用提供更好的軟關斷功能，有助于把 dv/dt 降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過壓，從而提升可靠性與耐用性。這個平臺的參數(shù)分布較窄，在高電流功率模塊內(nèi)并聯(lián)起多個 IGBT 之時，可提供出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱電阻和達到 175°C 的最高結(jié)溫。
開關特性
對于IGBT的另外一個要求是在關斷時具有很低的過沖電壓，從而將傳導和輻射EMI降至最低，同時防止IGBT出現(xiàn)過壓故障。
為了將系統(tǒng)寄生電感所帶來的過沖電壓最小化，IGBT必須在關斷事件中具有低di/dt。圖2顯示了在ICE = 100A時的關斷特性，此時測量的總線電壓VCE(ON) = 600V，Tj = 150 oC，外部Rg = 0。從這些波形因數(shù)中，可以看出在幾個被測試的IGBT中，Gen 8 IGB具有最低的過沖電壓。Gen 8 IGBT的過沖電壓不到750V。
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