意法半導(dǎo)體’的600~650V IGBT為工作頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用提供的最大集電極電流范圍為3~150A。 提供了多種版本，并且?guī)в袑Ｓ脙?nèi)置式反向并聯(lián)二極管以實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)優(yōu)化。 利用意法半導(dǎo)體’獲得專利的標(biāo)準(zhǔn)沖壓穿透PowerMESH技術(shù)和新引進(jìn)的溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)該電壓范圍。
這些600~650V IGBT的目標(biāo)應(yīng)用包括家用電器、感應(yīng)加熱、光伏、UPS、焊接和照明。 提供的封裝選項(xiàng)包括D2PAK、DPAK、ISOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-247長(zhǎng)引線和TO-3PF。
650 V溝槽柵場(chǎng)終止IGBT
場(chǎng)終止技術(shù)基于回注式集電極和緩沖器層，能夠在關(guān)斷時(shí)作出快速而緊密的反應(yīng)。TGFS IGBT還采用了溝槽柵技術(shù)，提高了溝道密度，降低了傳導(dǎo)損耗，大幅提高了效率。此外，TGFS允許降低晶片厚度，提升了晶體管的熱性能，提高了可靠性，簡(jiǎn)化了熱管理設(shè)計(jì)。
主要受益:
最低總功率損耗實(shí)現(xiàn)更高的節(jié)能
最低的關(guān)斷損耗(Eoff)同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)速度
簡(jiǎn)單并聯(lián)使用以實(shí)現(xiàn)功率擴(kuò)展
175oC的結(jié)溫,具有更高的耐用性和可靠性
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