富士通半導(dǎo)體FRAM鐵電隨機存儲器,其中MB85RC1MT是所有富士通半導(dǎo)體I2C串行接口產(chǎn)品中最高內(nèi)存容量的產(chǎn)品,可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase)周期,大幅超越傳統(tǒng)EEPROM的寫入/擦除周期次數(shù),并可支持I2C接口及其他接口產(chǎn)品的實時數(shù)據(jù)登錄等頻繁的重復(fù)寫入數(shù)據(jù)作業(yè)。適用于需要經(jīng)常重復(fù)寫入數(shù)據(jù)之應(yīng)用,例如工廠自動化、測試儀器及工業(yè)設(shè)備所需之實時數(shù)據(jù)登錄應(yīng)用。
MB85RC1MT可在攝氏零下40度至85度的溫度范圍以1.8V至3.3V工作電壓運作,可支持3.4MHz 的“高速”操作模式,并可在與傳統(tǒng)EEPROM相同的1MHz環(huán)境進行讀寫數(shù)據(jù)作業(yè)。
MB85RC1MT的出現(xiàn)增加了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品陣容:I2C 接口(支持4 Kb至1 Mb內(nèi)存容量)和SPI接口(16 Kb至2 Mb內(nèi)存容量)。這些FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標(biāo)準的8針腳SOP封裝,因而可取代EEPROM或序列閃存,并適用于工廠自動化、測試儀器及工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用,更無須大幅修改電路版的設(shè)計。 |