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                      廠商LOGO
                        
                    
          
                    
          
                      廠商名稱(中文)
                         國(guó)際整流器公司
                    
          
                    
          
                      廠商名稱(英文)
                         International Rectifier
                    
          
                    
          
                      公司網(wǎng)址
                          www.irf.com
                    
          
                    
                    
          
                      參與評(píng)選類別
                          功率器件
                    
          
                    
          
                      產(chǎn)品名稱
                          IR DirectFET®plus功率MOSFET
                    
          
                    
          
                      產(chǎn)品型號(hào)
                          IR DirectFET®plus功率MOSFET
                    
          
                    
          
                      產(chǎn)品圖片
                          
                    
          
                    
                    
          
                      參選公司簡(jiǎn)介
                      
          國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱 IR，紐約證交所代號(hào) IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國(guó)際知名廠商開(kāi)發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。
          					            		
                    
          
                    
          
                      參選產(chǎn)品簡(jiǎn)介
                      

					  
          IR IRF6811和IRF6894DirectFET?Plus MOSFET采用了IR最新一代Si技術(shù)，Rds(on)和柵極電荷（Qg）比上一代器件低得多，并且功率損耗也減少了25%之多。此外，這些器件還提供了與超低柵極電阻（Rg）有關(guān)的所有優(yōu)勢(shì)，從而通過(guò)將DC-DC轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)損耗降至最低水平而進(jìn)一步提高了效率。
          
					  
					    
          可以通過(guò)降低Rg來(lái)提高效率是因?yàn)樗档土伺c控制FET有關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗。降低Qg也可以產(chǎn)生類似的效果，然而，降低Qg通常會(huì)導(dǎo)致Rds(on)的增加，因此效果不如降低Rg那么明顯。
          
						    
          降低Rg還有助于防止同步FET的Cdv/dt感應(yīng)導(dǎo)通，它主要是由于控制FET導(dǎo)通導(dǎo)致同步FET漏極電壓迅速增加所致。電壓迅速增加會(huì)通過(guò)密勒電容在同步FET柵極上產(chǎn)生電壓尖峰，而它有可能導(dǎo)通同步FET。該Cdv/dt感應(yīng)導(dǎo)通會(huì)產(chǎn)生大量功率損耗，從而影響了整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的效率。低柵極電阻Rg能夠有效降低該柵極尖峰，進(jìn)而消除了該損耗機(jī)制。
          
							
							
          Rg越低，柵極驅(qū)動(dòng)器輸出阻抗匹配就越好。由于越來(lái)越強(qiáng)調(diào)提高效率，所以進(jìn)一步改進(jìn)更多地需要系統(tǒng)方法（而不是單單改善MOSFET Rds(on)和Qg）的趨勢(shì)就越來(lái)越明顯了。特別地，柵極驅(qū)動(dòng)器特性及其驅(qū)動(dòng)的MOSFET之間的協(xié)同作用是提高效率的關(guān)鍵。調(diào)整Rg以便有效匹配驅(qū)動(dòng)器輸出阻抗的能力會(huì)改善其驅(qū)動(dòng)能力，從而提高效率。
          
							
							
          降低Rg的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于提高了可靠性。MOSFET通常由大量并聯(lián)單元組成。保證各個(gè)單元具有較一致的導(dǎo)通特性可以避免少量單元暫時(shí)承受滿載電流，從而提高了可靠性。
          	
							
          RF6811 控制MOSFET 及IRF6894 同步MOSFET 分別以小罐及中罐供貨。25V DirectFETplus 組件結(jié)合了業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻和柵極電荷以及低電荷，將傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗降到最低。IRF6894 還設(shè)有集成式單片肖特基二極管，可降低由體二極管傳導(dǎo)和反向恢復(fù)導(dǎo)致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET 與上一代器件的占位面積兼容。新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。