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          SK海力士開始量產(chǎn)全球最高的321層NAND閃存

          • 2024年11月21日,SK海力士宣布,開始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND閃存。SK海力士表示:“公司從2023年6月量產(chǎn)當前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品,并供應于市場,此次又率先推出了超過300層的NAND閃存,突破了技術界限。計劃從明年上半年起向客戶提供321層產(chǎn)品,由此應對市場需求。”公司在此次產(chǎn)品開發(fā)過程中采用了高生產(chǎn)效率的“3-Plug*”工藝技術,克服了堆疊局限。該技術分三次進行通孔工藝流程,隨后經(jīng)
          • 關鍵字: SK海力士  321層  NAND閃存  
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