圖 3: 單端高側(cè)整流，副邊輔助繞組供電 (任何輸出電壓)

　　PCB布線指南和實(shí)例：
　　a. 芯片放置：因芯片須檢測同步整流開關(guān)管VDS電壓值，為了得到快速準(zhǔn)確的電壓信號，必須將芯片盡量接近 MOS管。兩者之間的走線距離不可超過 10 毫米。
　　b. 芯片去耦電容：為達(dá)到好的濾波效果，去耦電容應(yīng)盡量接近 VCC 腳。引線
盡量短。
　　c. MOS管電壓檢測VD/VS：
　　GR8387 可以準(zhǔn)確的檢測同步整流 MOS管漏極到源極的電壓。引線應(yīng)盡量短并且遠(yuǎn)離電源地。如使用SO-8封裝 MOS管，VS 和 GND 兩腳引線最好在 MOS管源極處連接，不可在先連接這兩個(gè)管腳再接源極，如圖4 所示。。在 MOS管置于低側(cè)的設(shè)計(jì)中，若使用了電流檢測電阻，不可將它置于同步整流 MOS管驅(qū)動或檢測的回路中。否則會在 VCC 上產(chǎn)生噪聲。如圖14 所示。
 

　　圖4 單面板焊接面視圖，SO-8 MOS管，OVA接地

　　如果需要GR8387資料和樣片可以聯(lián)系
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