泰科電子的內(nèi)部檢測表明，熱插拔引起的瞬態(tài)，盡管時間很短暫，但電壓幅度卻可能超過16~24V。內(nèi)部檢測還發(fā)現(xiàn)第三方充電器的開路電壓超過了5V ±5%的USB規(guī)范要求。在所有USB受電設(shè)備，尤其是VBUS端口上安裝過壓保護器件(如PolyZen聚合體保護zener二極管器件)可以有效防止因電壓瞬態(tài)而受損。對于USB 3.0設(shè)備來說，PolyZen器件可酌情置于USB輸入端口、Power -B插頭和母插孔電源端口上。

　　ESD保護

　　過壓瞬態(tài)往往是ESD造成的，電源總線和數(shù)據(jù)總線上都可能出現(xiàn)。盡管現(xiàn)代集成電路可以抵御最高2000 V的電壓，但人體本身卻能輕易地聚集高達25000V的靜電。在I/O端口保護應(yīng)用中，數(shù)據(jù)線上需要具有快速鉗位和恢復(fù)響應(yīng)的極低電容ESD器件。

　　現(xiàn)有USB 2.0協(xié)議支持最高480Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率、即插即用、熱插拔安裝和運行。比較而言，USB 3.0規(guī)范支持的數(shù)據(jù)傳輸速率高達5Gbps，并向下兼容低速USB 2.0規(guī)范。

　　USB 3.0在連接上增加了四個新引腳來支持全新的SuperSpeed接口：USB3_TX (差分線對)和USB3_RX(差分線對)，如圖4所示。

　　USB 3.0的SuperSpeed接口需要比USB 2.0電容更低的ESD保護。增加極低電容PESD器件可以減小插入損耗，滿足USB 3.0的眼圖要求。PESD器件的典型電容為0.2pF，超過6 GHz范圍內(nèi)插入損耗平穩(wěn)，同時可以應(yīng)對各種ESD瞬態(tài)。