臺積電過去對EUV技術(shù)的熱乎勁一直不是很高，但是最近由于在無掩模光刻技術(shù)的研發(fā)上遇到一些困難，因此他們似乎又開始重視這種技術(shù)。臺積電納米成像部的副總裁林本堅表示：“臺積電16nm制程節(jié)點會是EUV或者無掩模光刻技術(shù)的二選一。而最終哪項技術(shù)會勝出則取決于其‘可行性’。”

　　臺積電不準(zhǔn)備腳踏兩只船，同時走EUV和無掩模技術(shù)兩條路。他們曾一度大力支持無掩模技術(shù)的發(fā)展，并曾積極投資無掩模技術(shù)的設(shè)備廠商MapperLithography，后者還曾在臺積電的研究設(shè)施中安裝了一臺5KeV功率的110-beam電子束光刻設(shè)備，并使用這臺機器成功造出了20nm制程級別的芯片。不過這臺機器仍為“Alpha”試驗型產(chǎn)品，不適合做量產(chǎn)使用。

　　但臺積電最近在光刻戰(zhàn)略上有了較大的轉(zhuǎn)變，他們最近從ASML那里訂購了一臺試產(chǎn)型NXE:3100EUV光刻機,這臺光刻機將在今年早些時候安裝到臺積電的工廠中，林本堅為此表示：“EUV技術(shù)的研發(fā)資金投入狀況更好一些，不過我們擔(dān)心研發(fā)成本問題。”

　　另外，臺積電也對EUV在曝光功率方面的問題表示擔(dān)憂。當(dāng)然無掩模電子束光刻技術(shù)也碰上不少問題，比如如何解決數(shù)據(jù)量，產(chǎn)出量問題等。有人認(rèn)為Mapper公司可能還需要再湊足3一美元左右的資金才可以開發(fā)出一臺量產(chǎn)型的電子束直寫設(shè)備。

　　那么臺積電在16nm節(jié)點究竟會采用哪一種次世代光刻技術(shù)呢?這個問題目前還得不出明確的答案。不過如果從各項技術(shù)所獲得的資源支持來看，EUV獲選的可能性似乎是最大的。林本堅表示：“這就像是一場龜兔賽跑，而富有的一方則是那只兔子。”他還表示：“我們已經(jīng)開始關(guān)注這個問題。”同時他還不無諷刺地表示，雖然市面上有許多研發(fā)無掩模光刻技術(shù)的廠商，但Globalfoundries目前還沒有找到能夠符合其要求的解決方案。