(表1續(xù))

　　采用集成化FET的設(shè)計(jì)實(shí)例

　　我們以圖1中的ISL8014為例進(jìn)行說明。假定所要求的輸入為Vin=5V，輸出為Vo=1.8V，輸出電壓紋波小于18mV。設(shè)計(jì)步驟如下：

　　1. 確定開關(guān)頻率Fs。正常的開關(guān)頻率為1MHz，也可以通過同步提高開關(guān)頻率，最高可達(dá)4MHz。為簡(jiǎn)單起見，我們這里使用1MHz。

　　2. 計(jì)算電感L。其中ΔI是流過電感的峰-峰紋波電流，建議將ΔI設(shè)置為最大輸出電流的30%左右。ISL8014的最大輸出電流為4A，因此其ΔI=1.2A。

　　3. 確定輸出電容的等效串聯(lián)電阻阻值RESR。

　　4. 建議使用的最小輸出電容值為44μF。由于其RESR很低，陶瓷電容是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。每個(gè)采用0805封裝的22μF電容的RESR為5mΩ，因此可以選擇2 x 22 μF。

　　5. 根據(jù)如下公式計(jì)算反饋電阻分壓器，其中VFB為規(guī)格書規(guī)定的0.8V：

　　6. 輸入電容不太重要，C1可以定為2 x 22 μF。

　　7. 接下來是版圖。請(qǐng)參考ISL8014的規(guī)格書，該規(guī)格書可從網(wǎng)址www.intersil.com下載。

　　a) 將IC插在電路板上。

　　b) 將電感器插在與IC的LX節(jié)點(diǎn)相鄰之處。

　　c) 將C2插在與電感器L另外一端及IC的PGND管腳相鄰之處。

　　d) 將C1插在IC的VIN管腳旁邊。

　　e) 將R3插在SGND和VFB管腳旁邊。

　　f) 將R2和C3插在R3旁邊。

　　g) 在IC的電源焊盤之下打6個(gè)左右的過孔，以便散熱。

　　h) 打約4個(gè)過孔，以便將PGND分別與C1和C2連接。

　　i) 以PGND連線填充第二層。

　　j) ISL8014的版圖示例請(qǐng)見下圖。

　　結(jié)論

　　Intersil的集成化FET穩(wěn)壓器擁有眾多的特性和功能選擇，使其更易于使用，在采用內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償時(shí)，情況尤其如此。本文列出了在低輸入電壓應(yīng)用中建議采用的輸出電感和電容，還討論了簡(jiǎn)潔的設(shè)計(jì)步驟和版圖設(shè)計(jì)。通過這些簡(jiǎn)單的步驟，大多數(shù)設(shè)計(jì)人員可以得到所需要的結(jié)果。對(duì)于采用外接補(bǔ)償?shù)募?a class="contentlabel" href="http://cafeforensic.com/news/listbylabel/label/FET">FET，其規(guī)格書中幾乎都會(huì)附有具體而詳細(xì)的分析。