6月20日消息，據(jù)國外媒體報道，IBM與佐治亞理工學院(Georgia Tech)成功使一顆芯片運行在500GHz，其時溫度為-268℃，這也刷新了硅鍺芯片的速度記錄。此項實驗是探索硅鍺(SiGe)芯片速度極限計劃的一部分，這種芯片類似于標準的硅基芯片，但是它含有鍺元素使得芯片的功耗更低，性能更佳。

　　在室溫下，IBM和佐治亞理工學院的芯片已經(jīng)可以穩(wěn)定運行在350GHz，即每秒時鐘周期運算3,500億次。相形之下，目前個人電腦處理器的速度為1.8GHz至3.8GHz。

　　IBM首席技術官Bernie Meyerson形象比喻：“這個晶體管運算速度百倍于個人電腦，比手機芯片則快250倍?！?

　　兩家機構的研究人員使芯片溫度達到了-268℃，這樣的低溫在自然界只存在于外太空，已接近絕對零度。硅鍺芯片在低溫下可以獲得更好的性能，研究人員預言最終芯片的頻率可達1THz。

　　加入鍺元素可有效提高芯片性能并降低功耗，同時也會增加晶圓和芯片的生產(chǎn)成本。IBM自1998年已經(jīng)銷售了上億個硅鍺芯片，但是移動通信領域每年要用掉數(shù)十億個普通硅基芯片。目前高性能的硅鍺芯片只應用導彈防御系統(tǒng)、宇宙飛行器以及遙感測量等特殊領域。該公司希望此項技術能夠在數(shù)年內(nèi)投入實際應用，這將為實現(xiàn)個人超級電腦和高速無線網(wǎng)絡鋪平道路。

　　IBM是世界上第一個生產(chǎn)硅鍺芯片的廠商。摩托羅拉、Airgo Networks和Tektronix等公司已在其產(chǎn)品中使用這項技術。(長樂未央)