功率LDM0 S中的場極板設(shè)計
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由于2、4、5區(qū)中縱向電場和橫向電場相比可忽略，可近似認為本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/157312.htm
其他各區(qū)的對應(yīng)的耗盡層厚度可由
得到，而由[2]可定義
根據(jù)漂移區(qū)表面電場和電勢的連續(xù)性可得出邊界條件
將上式在x方向微分，解得
式中Ui(i=1，2，3，4）的值可由Ei(Li，0)=Ei+1(Li，0)解得。
2 結(jié)果和分析
上圖是在器件關(guān)態(tài)條件下漂移區(qū)表面電勢和電場分布的理論值。采用的數(shù)據(jù)如下：
從圖中可以看出，LDMOS處于關(guān)態(tài)時根據(jù)理論模型計算得到的結(jié)果和Medici仿真結(jié)果的比較。由于本文的模型忽略了氧化層固定電荷，所以和Medici仿真結(jié)果有差異較小。由圖可見，漂移區(qū)的電場峰值出現(xiàn)在p阱／n-漂移區(qū)結(jié)處、場板的兩端與漏端附近。這些電場峰值處也就是最可能的擊穿點。
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