基于溫度補(bǔ)償?shù)臒o運(yùn)放低壓帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)
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2 改進(jìn)的低電壓帶隙基準(zhǔn)負(fù)載結(jié)構(gòu)
由式(5)可得，要得到在一定溫度范圍內(nèi)與溫度零相關(guān)的基準(zhǔn)電流I(T0)，電阻溫度系數(shù)TCR必須滿足：
通過調(diào)整電阻的阻值可達(dá)到上式要求，但在這種情況下，式(2)中的基準(zhǔn)電壓V(T0)就一定不與溫度零相關(guān)，為了產(chǎn)生在一定溫度范圍內(nèi)與溫度無關(guān)的基準(zhǔn)電壓Iref，現(xiàn)引入了一種新的負(fù)載結(jié)構(gòu)，圖1中的負(fù)載電阻R4可改成如圖2中R2的結(jié)構(gòu)，基準(zhǔn)電壓Vref可以表示為：
由上可知，滿足式(7)時(shí)，可以得到在一定溫度范圍內(nèi)與溫度零相關(guān)的基準(zhǔn)電流I(T0)，要得到在一定溫度范圍內(nèi)與溫度無關(guān)的基準(zhǔn)電壓Vref，必須滿足：
由于電壓Vbe的溫度系數(shù)室溫下為-1．5 mV／K，所以要選擇具有正溫度系數(shù)的電阻以滿足式(9)的要求。在CMOS工藝中的擴(kuò)散電阻和阱電阻阻值是隨著溫度的升高而增大的，符合電路設(shè)計(jì)要求。本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/160474.htm
評(píng)論