2.3.1　硅熔融鍵合

　　在鍵合之前，所有晶片都要進行清洗，把晶體表面上的灰塵微粒洗掉，接著晶片在室溫下鍵合在一起，然后把這對晶片放在1000℃的純氮環(huán)境下進行退火鍵合。

　　圖2

　　2.3.2 硅蝕刻

　　首先利用離子刻蝕把原先為減少凹凸不平而重摻雜的濃硼擴散層刻蝕掉，這一步也可用機械拋光法來進行?？涛g掉這一層后，接著要把梁刻蝕出來，可用腐蝕的辦法來進行，用10%的KOH來腐蝕，前面的350μm在90℃的KOH中腐蝕，后面的50μm在50℃的KOH中腐蝕，以便得到更好的蝕刻選擇性。

　　2.3.3　開一個引線窗口和排氣窗口

　　引線窗口主要是在這個窗口中先淀積上一層金屬，然后從這一層金屬中引出電容的極板引線。要刻蝕出這個窗口可以在晶片上布一層掩膜，然后利用離子刻蝕法刻出這個窗口，同理，排氣窗口也可以這樣刻蝕。排泄窗口是為了使封裝的腔為真空而設計的。

　　2.3.4　封裝腔

　　排氣窗口刻蝕出以后，用LTO封裝這個排氣窗口，用LTO封裝以后，腔里的空氣壓力幾乎為零。那么這個傳感器就可以測絕對壓力。

　　2.3.5　刻蝕出梁和引線窗口

　　在BHF溶液中腐蝕出梁和引線窗口，腐蝕掉鏈接層的LTO和SiO2。

　　2.3.6　金屬化處理

　　在引線窗口濺射上300nm的Al/Si/Cu金屬層。

　　2.3.7　切割和測試

　　完成后的晶體能夠被切割和測試。

　　圖3