FlashMemory即快擦型存儲器，在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息，但是數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位。區(qū)塊大小一般由256KB到20MB。FLASH這個詞最初由東芝因為該芯片的瞬間清除能力而提出。閃存源于EPROM，芯片價格不高，存儲容量大。閃存正在成為EPROM的替代品，因為它們很容易被升級。閃存被用于PCMCIA卡，PCMCIA閃存盤，其它形式硬盤，嵌入式控制器和SMARTMEDIA。如果閃存或其它相關(guān)的衍生技術(shù)能夠在一定的時間內(nèi)清除一個字節(jié)，那將導(dǎo)致永久性的(不易失)RAM的到來。

DRAM

DRAM(DynamicRandom-AccessMemory)，即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM必須隔一段時間刷新(refresh)一次。如果存儲單元沒有被刷新，數(shù)據(jù)就會丟失。