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          LED芯片/器件封裝缺陷的非接觸檢測技術(shù)

          作者: 時間:2012-05-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          4.2.3引線焊接質(zhì)量影響的模擬實驗結(jié)果

          在圖2所示的等效電路中,Rs2與負載RL是串聯(lián)的,由于電極的電阻以及電極和結(jié)之間的接觸電阻Rs2很難直接測量,因此實驗中通過串聯(lián)不同的負載電阻RL來模擬接觸電阻Rs對檢測結(jié)果造成的影響,其試驗結(jié)果如圖6所示。由圖6可知,隨著外加負載RL的增大,流過負載的電流越來越小。實驗與理論都表明,接觸電阻Rs的微小變化會使支架上流過的電流IL1產(chǎn)生很大的改變。對于功能完好的,通過測量支架上流過的光生電流IL1可以計算得到的串聯(lián)電阻Rs。若串聯(lián)電阻值無窮大,則與電極之間可能出現(xiàn)了銀膠脫膠、漏焊或者焊絲斷裂問題,若串聯(lián)電阻與正常連接狀態(tài)下的串聯(lián)電阻有大的差異,則與電極之間可能出現(xiàn)了其它的焊接問題,如虛焊、重復(fù)焊接等。因此,通過分析支架上流過的光生電流值,可以檢測過程中芯片與引線支架之間的電氣連接狀態(tài)。

          5、結(jié)論

          由于我國LED產(chǎn)量十分巨大,因此在大批量生產(chǎn)線上對LED的封裝質(zhì)量進行實時在線檢測,能夠替代有效改善目前大批量的封裝生產(chǎn)企業(yè)采用的人工肉眼檢查落后現(xiàn)狀、有效降低次品/廢品率。為此,充分利用LED具有與PD類似的光伏效應(yīng)的特點、以及所建立的LED芯片/封裝質(zhì)量與光電流之間的關(guān)系,搭建了LED封裝質(zhì)量檢測實驗平臺,并通過模擬實驗證明了芯片差異、固晶質(zhì)量、焊接質(zhì)量的影響都可以通過檢測儀輸出信號的特征體現(xiàn)出來,而且檢測的離散度小于10-6,檢測速度可達100只/秒。在此基礎(chǔ)上,還開發(fā)出了圖7所示實際檢測樣機[7],并正在進行實際檢測樣機與封裝生產(chǎn)線的系統(tǒng)集成,以及LED參數(shù)的進一步的量化研究。


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