具體應(yīng)用

　　在筆者開發(fā)的電動汽車儀表盤中，需要存儲總里程、小計里程、電機(jī)故障等信息，按照前文所述的方法，首先建立數(shù)據(jù)分區(qū)，為每個數(shù)據(jù)條目建立ID，該ID同時可表征數(shù)據(jù)狀態(tài)字：

　　ID=1，對應(yīng)電機(jī)故障，大小為1個字節(jié);
　　ID=2，對應(yīng)總里程，大小為4個字節(jié);
　　ID=3，對應(yīng)小計里程，大小為2個字節(jié);

　　各數(shù)據(jù)條目在分區(qū)內(nèi)的格式如下：

　　分區(qū)狀態(tài)字Status_word(1個字節(jié))+電機(jī)故障ID(1個字節(jié))+電機(jī)故障(1個字節(jié))+總里程ID(一個字節(jié))+總里程(4個字節(jié))+小計里程ID(1個字節(jié))+小計里程(2個字節(jié));

　　經(jīng)計算，實際存儲需求為11個字節(jié)，為了計算的方便，設(shè)定分區(qū)大小為2的冪，選為16;MC9S12HY32內(nèi)置數(shù)據(jù)Flash的扇區(qū)大小為256個字節(jié)，為了保證掉電不丟失數(shù)據(jù)，必須占用至少兩個扇區(qū)，根據(jù)公式(1)，分區(qū)個數(shù)選定為32。數(shù)據(jù)Flash可擦寫次數(shù)為10萬次，在每次數(shù)據(jù)寫操作都會引起數(shù)據(jù)分區(qū)輪轉(zhuǎn)的最壞情況下，數(shù)據(jù)可擦寫次數(shù)為10萬*32=320萬次，大于EEPROM的可擦寫100萬次的使用壽命，可以滿足產(chǎn)品生命周期要求。

　　如前文所述，在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀/寫操作時，首先通過數(shù)據(jù)條目ID進(jìn)行偏移地址查表，計算數(shù)據(jù)在分區(qū)內(nèi)的相對地址，其實現(xiàn)函數(shù)如下：

　　uint16_t GetDataAddrFromItsId(uint16_t data_id)
　　{
　　uint16_t addr;
　　if(EE_MOTOR_ERR == data_id){
　　addr = EEPROM_START + 1;
　　}else if(EE_MILES_TOTAL == data_id){
　　addr = EEPROM_START + 3;
　　}else if(EE_MILES_RELATIVE == data_id){
　　addr = EEPROM_START + 8;
　　}else{
　　addr = EEPROM_START; /* not valid data id,so give unvalid addr */
　　}
　　return addr;
　　}
　　EE_MOTOR_ERR、EE_MILES_TOTAL、EE_MILES_RELATIVE即表示數(shù)據(jù)條目ID的宏。

　　在行車過程中，當(dāng)小計里程改變時，不僅在液晶屏上實時更新小計里程數(shù)據(jù)，同時需要把更新后的小計里程寫在數(shù)據(jù)Flash中，其具體函數(shù)如下：

　　void MilesRelativeStore(void)
　　{
　　if(Miles_relative != Miles_relative_stored){
　　(void)WriteEeprom(EE_MILES_RELATIVE,&Miles_relative,sizeof(Miles_relative));
　　Miles_relative_stored = Miles_relative;
　　}
　　}

　　由上述函數(shù)可見，應(yīng)用本專利所設(shè)計方法，可以屏蔽底層實現(xiàn)細(xì)節(jié)，提供給應(yīng)用層簡單、清晰、和EEPROM一樣簡便的接口。

　　結(jié)語

　　本文從Flash特性出發(fā)研究并實現(xiàn)一種高效的數(shù)據(jù)存儲及管理方法，其實現(xiàn)層面實現(xiàn)與EEPROM同樣的應(yīng)用接口，具有很高的使用價值，同時有效利用了MCU的內(nèi)部資源，提高了MCU Data Flash的使用壽命，使之可以滿足產(chǎn)品生命周期要求，并節(jié)約了產(chǎn)品的BOM成本，所設(shè)計方法在筆者設(shè)計的汽車儀表盤中得到實際應(yīng)用和長時間驗證，運行效果良好，具有很好的實用價值。

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