匹配步驟與設(shè)計過程修正之前完全相同。首先計算負載阻抗(根據(jù)經(jīng)過“穩(wěn)定性”修正的S參數(shù)和基于噪聲參數(shù)的給定源負載)，然后用集總元件表示之。

精確計算得出的電容和電感數(shù)值并非標稱值，因此還須借助實際無源器件模型加以規(guī)范。為了使得仿真結(jié)果更加有效，電容值尤其需要借助一系列容性阻抗模型標準化。這些工作在第四個設(shè)計步驟中完成，該步驟這里不再詳述。需要強調(diào)的主要一點是以上描述的技術(shù)能夠使K因子提高。這項技術(shù)還可以應(yīng)用到其它晶體管和不同規(guī)格的器件設(shè)計中。

實際應(yīng)用時須考慮的問題

穩(wěn)定電阻Rstab可以有多種方法實現(xiàn)，如圖7a所示。為了清楚起見，本文以下部分都忽略了輸入和輸出端的匹配電路。用于相鄰級之間DC阻斷的電容也不作考慮。應(yīng)用例中顯示的是雙極型晶體管，注意該例也同樣適用于FET。

最常用的偏置方法是在設(shè)備的RF輸出端和DC源之間并聯(lián)一個電容(圖7b)，現(xiàn)在最主要的問題是如何接入穩(wěn)定電阻Rstab。圖7c是Rstab最簡單的實現(xiàn)方式，該電阻直接與地相連，因此具有直流工作特性。這樣做的缺點是從電源引入了額外的直流電流I=Vcc/Rstab。整個系統(tǒng)不是由電池供電時這可能不會成為主要問題。

圖7d則正好與圖7c相反，Rstab并不引入任何直流分量，其頻率響應(yīng)由電容C決定。因為直流電源通常并聯(lián)高值電容(uF量級)，這樣做不會帶來什么麻煩。當電源電壓直接偏置晶體管時，這樣配置的優(yōu)勢最為明顯。注意Rstab通過一個偏置電感Lc短路，因此直流情況下完全可以忽略。

如果電源電壓過高，則須采用圖7e和7f中的配置。Rstab被用于降低電壓。一旦集電極(漏級)電流固定，電壓的下降幅度就可以定量計算。通過設(shè)置集電極(漏級)電流就能借助Rstab使電壓下降預(yù)期的幅度，見圖7e。如果還要進一步降低電壓，則可利用Rstab和R1共同實現(xiàn)所需要的阻值。注意兩電阻之間必須連接一個電容，使得Rstab在RF環(huán)境中有效地工作。