所以選取反向耐壓為600V.

(2) 額定電流Irating

mos管關(guān)斷后，D4給電感L1提供續(xù)流回路，所以通過D4的電流不會超過電感L1飽和電流IL.

(3) 反向恢復(fù)時間trr

由于電路工作的頻率較高，所以需要反向恢復(fù)時間小的超快恢復(fù)肖特基，以防止誤觸發(fā)，建議選用trr小于或等于75ns的超快恢復(fù)肖特基。

(4) 正向?qū)▔航礦F

正向?qū)▔航礦F越小，效率越高，盡可能選擇正向?qū)▔航敌〉某旎謴?fù)肖特基。

■所以選擇反向耐壓為600V,額定電流為1A,反向恢復(fù)時間小于或等于75ns的超快恢復(fù)肖特基。

13.輸出電容C9

輸出電容的作用是減小LED電流的波動，越大越好，但由于體積的限制，建議選擇容值為0.47uF到1uF之間耐壓400V為的CBB電容。

14.mos管Q1

(1) mos管耐壓VDSS

mos管的最大耐壓為交流整流后的電壓最大值，留50%的裕量，選取耐壓值為

(2) mos管的額定電流IFET

流過mos管的電流取決于最大占空比，本系統(tǒng)最大占空比為50%,所以留過mos管的額定電流為

mos管的額定電流為工作電流3倍時，損耗較小，所以選取mos管的額定電流IFET≥1A.

(3) mos管開啟電壓Vth

要保證Vth小于芯片的驅(qū)動電壓，即Vth11V,由于一般高壓mos管的Vth為3~5V,所以這個參數(shù)不需要過多考慮。

(4) mos管導(dǎo)通電阻Rdson

mos管的導(dǎo)通電阻Rdson越小，mos管的損耗就越小。

(5) 額定溫度

實際工作溫度不能超出其額定溫度的范圍。

■ 所以選擇耐壓為600V,額定電流大于或等于1A,Rdson較小的mos管。

15.CS取樣電阻R4,R7,R8

(1) R4,R7,R8的阻值

設(shè)R7,R8串聯(lián)后再與R4并聯(lián)的電阻為RCS,輸出的電流波動范圍為0.3,

則：

所以：

選取合適的R4,R7和R8,保證調(diào)節(jié)R8可以得到需要的輸出電流Io,且無論怎樣調(diào)節(jié)R8,Io都不會太大以至于損壞期間。

(2) 電阻類型

RCS上承受的功率為P=I2O×RCS=0.11W ，所以R4,R7采用0805封裝的貼片電阻，為了調(diào)節(jié)R8時輸出電流不會變化太快，所以選擇R8為精密可調(diào)電阻。

16.續(xù)流電感L2和續(xù)流二極管D5

加L2和D5的主要目的是為了給芯片VCC供電，從而關(guān)斷芯片HV腳的供電，減小損耗。工作原理為：當(dāng)mos管導(dǎo)通時，電感L2儲能，電容C7給芯片供電，當(dāng)mos管關(guān)斷時，L2給芯片VCC供電，并給電容C7充電。

選擇L2的原則是使芯片VCC的供電電壓保持在11~12V之間，建議選擇電感量為18uH,飽和電流與L1相同的電感。選擇續(xù)流二極管D5時，為了防止誤觸發(fā)，建議選用恢復(fù)時間小于75ns的超快恢復(fù)肖特基。