改善耦合

3a、提高自舉電容(Cb)值，至少使用一個低ESR電容，減小由于VS負

過沖而產(chǎn)生的過充電。

3b、在VCC和COM間使用第二個低ESR電容，這個電容為低端輸出緩沖

電路和自舉電路再充電推供電源，

建議該值至少是Cb的十倍。

3c、盡量將去耦電容靠近相應的管腳，如圖7。

3d、如果需要在自舉 二極管中串聯(lián)電阻，要確保VB不會降到COM以下，

特別是在啟動時和極端頻率和占空比下。

適當?shù)睦蒙鲜鐾扑]方法，可以從根本最小化VS負過沖的影響，如果負過沖水平仍然很高，就應考慮減小dv/dt了。

也許可以用外部吸收電路或增加柵極驅動電阻來折衰效率和開關速率。如果系統(tǒng)不能允許，應適當考慮快速反并聯(lián)嵌位二極管，HEXFRED是理想的選擇。

8.提升VS負過沖免疫力

在最壞條件下，如果主要信號在確定的極限值內，就不再需要采取措施。然而，在噪聲非常大的環(huán)境中，采用上面措施，VS負過沖仍然超過，就需要進一步提高驅動IC的容錯能力。我們推薦兩種不同方法來改善負過沖免疫力。

方法A：

在VS腳到橋電路中點串聯(lián)電阻，限制當負過沖時流入VS腳的電流。當電阻為或更低時是可以的。

既然自舉電容充電經(jīng)過此電阻，如圖8，如果此電阻值過大，可能在啟動時引起直通發(fā)生。如果有柵極電阻，柵極電阻應減小，以保證高端和低端柵極電阻相等。

方法B：

另外一個方法是：在COM和低端器件源極或發(fā)射極加入一個電阻，如圖9，而自舉電容充電不經(jīng)過此電阻，這種方法較靈活，可選擇較大的電阻并提供很好的保護。

這個電阻可限制流入600V二極管D2的電流(圖3)，同樣，驅動的對稱性要求高低端柵極電阻相等，所以低端柵極電阻應適應減小以滿足要求。

注意：

nbsp;

當使用的驅動IC沒有分開的邏輯地時，例如有些IC的輸入和輸出共享一個地COM，上述討論的兩種方法都可以應用，然而應注意并確保輸入邏輯在允許電平內。

9.附錄1 : IR2110寄生二極管結構

圖10是IR2110的寄生二極管結構圖，這基本體現(xiàn)了絕對最大額定值表。IR2110有獨立邏輯地和輸出地，在某些驅動IC中，由于管腳的限制，這兩個地合并為一個。