該發(fā)生器由8級充放電回路組成，初級觸發(fā)開關(guān)采用MOSFET，可通過控制MOSFET的導(dǎo)通來控制輸出脈沖的頻率。其輸出電壓如圖5所示，其中輸入電壓為290 V，各級充電電阻和電容分別為3．3 kΩ和1 nF。以9個(gè)同型號BJT串聯(lián)作為負(fù)載，測量輸出電壓波形如圖5所示?？梢?，圖4中發(fā)生器輸出了一個(gè)峰值為2．3 kV，脈寬低于10 ns，下降沿為3 ns的極短負(fù)脈沖電壓信號。

4 結(jié)論
在此提出了利用雙極結(jié)型晶體管的極間擊穿特性來實(shí)現(xiàn)開關(guān)功能，并取代火花隙開關(guān)以達(dá)到提高頻率和設(shè)備小型化的要求。首先考察了雙極結(jié)型晶體管的開關(guān)特性，并設(shè)計(jì)出一個(gè)實(shí)驗(yàn)用納秒級Marx負(fù)脈沖發(fā)生器，可實(shí)現(xiàn)幅值0～2 kV，脈寬低于10 ns，脈沖下降沿為3 ns的極短負(fù)脈沖。該發(fā)生器體積小，工作穩(wěn)定，適用于生物、醫(yī)藥等顯微操作的場合。