一種單級長延時電路的設計
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2 單級寬脈寬產生電路原理圖
單級寬脈寬產生電路如圖3所示，基本工作原理如下：輸入VIN為低態(tài)時，P1管導通，結點2被拉到高電平，結點3變?yōu)榈碗娖?，N3管關斷，同時結點6變?yōu)楦唠娖绞筃2管導通，將結點4拉低，此時輸出電壓VOUT變?yōu)榈碗娖?。當VIN變?yōu)楦邞B(tài)時，結點6的電平變低，N2管關斷，結點2，3的狀態(tài)保持不變，N3管任然關斷，此時恒定電流源IDC對電容C1進行充電，當電容C1充電到VTH時，反向器狀態(tài)開始翻轉，充電到使反相器狀態(tài)完全翻轉時，結點5變?yōu)楦唠娖?，N1導通，結點2被拉低，VOUT變?yōu)楦唠娖?。這樣實現(xiàn)了低脈沖被鎖到VOUT，只有電容C1被充電到一定值時，輸出VOUT才發(fā)生翻轉。本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/177782.htm
令C1被充電到VC時，VOUT從低變高，充電時間為TR，輸入VIN低脈沖寬度為WIN，輸出低脈沖寬度為WOUT，則有：
可以通過增大C1，減小IDC，TR增大，從而使WOUT增大，實現(xiàn)一級低脈沖展寬，且對輸入脈寬的沒有要求，很窄的輸入脈沖也能直接被展到很寬。圖4是該單級寬脈寬產生電路的仿真波形。
從仿真結果可知，輸入一個1ns的低脈沖經過該電路直接展寬為11ns，而且展寬的寬度可以根據(jù)具體的要求，通過調整IDC、C1實現(xiàn)。且通過設計高精度IDC可以使延長做的很精準。
3 結束語
本文設計的單級長延時產生電路，在TSMC0．35微米工藝得到驗證，用了極小的版圖面積。此長延時產生電路，對輸入的低脈寬寬度沒有任何要求，而且一次展寬到位。同時可以通過設計精準的電流源和利用工藝偏差比較小的電容提高精度。此電路運用在異步時序控制信號產生電路里非常實用，隨溫度變化和工藝角變化相對較小。
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