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全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真

作者：時(shí)間：2011-08-10 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

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2 自偏置MOS管基準(zhǔn)電壓源
電路如圖4所示。(W／L)1=(W／L)2=1．8μm／0．18μm，(W／L)3=(W／L)4=1．8μm／0．36μm。取R1=100Ω時(shí)，仿真結(jié)果如圖5所示。輸出電壓Vref對(duì)電源電壓的依賴性依然很強(qiáng)?？梢?jiàn)，溫度在0～80℃變化時(shí)，輸出電壓在1．14～1．24V變化。

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關(guān)鍵詞：仿真分析電壓 基準(zhǔn) CMOS

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