分壓-自偏壓共源放大電路的Multisim仿真研究
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2 靜態(tài)分析
圖1中所選用的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管Q1的性能參數(shù)如下：
跨導(dǎo)gm=0．42 ms，開啟電壓UT=4 V，UGS=2UT時，漏極電流IDO=0．45 mA。其他元件參數(shù)如圖1所示。根據(jù)圖1所示輸入回路可得到：
使用Multisim仿真軟件選擇信號源V1、直流電壓源VDD、場效應(yīng)管Q1、電阻、電容、模擬示波器等創(chuàng)建分壓-自偏壓共源放大電路仿真分析電路，如圖2所示。本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/178785.htm
選擇Simulate菜單中的Analysis命令，然后選擇DC Operation Point子命令，在彈出的對話框中的Output Variables選項卡中選擇1，3，4節(jié)點即場效應(yīng)管的柵極G、漏極D、源極S作為仿真分析節(jié)點，單擊Simulate按鈕，得到分析結(jié)果，如圖3所示。
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