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          一種新型的電流模式曲率補償帶隙基準源

          作者: 時間:2011-05-09 來源:網(wǎng)絡 收藏


          2 的帶隙結構
          2.1 IREF2的引入
          從式(3)可以看出來,Veb的非線性特性可以通過改變BJT管的集電極溫度特性加以控制。本文將要介紹的溫度技術正是基于這個性質。圖2顯示了第三個IREF2的引入。如圖2所示,IREF2是由BJT管Q2的射基電壓產(chǎn)生的,Q2的集電極電流是一個與溫度無關的電流IREF,由輸出參考電流鏡像得到。因此,與傳統(tǒng)帶隙的BJT管的射基極電壓不同,管Q2的射基電壓VebQ2的m=0。下面將具體介紹如何利用IREF2進行

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/179146.htm

          e.JPG


          2.2 電路結構與分析
          實現(xiàn)低壓工作和補償?shù)耐暾娐方Y構如圖3所示。該電路共包含了5個部分:2個電流生成電路,1個偏置電路,1個啟動電路和1個電流相減電路。圖中IREF1是2個電流之和,由傳統(tǒng)的帶隙電路產(chǎn)生,可表示為:
          f.JPG
          通過電流鏡的鏡像,得到IREF為:
          g.JPG
          式中:K1是M3和M2的寬長比比值;K2是M9和M7的寬長比比值。因為Q1a和Q1b的集電極電流為PTAT電流IPTAT,而Q2的集電極電流為與溫度無關的電流IREF,回顧式(3),VebQ1a和VebQ2可分別寫成:
          h.JPG

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