2 輸入旁路電容
在VIN和GND之間連接一個(gè)1μF電容可以降低電路對(duì)PCB布局的敏感性，特別是在長(zhǎng)輸入走線或高信號(hào)源阻抗的情況下。如果輸出端上要求使用1μF以上的電容，則應(yīng)增加輸入電容，使之與輸出電容匹配。

3 輸入和輸出電容特性
輸入和輸出電容必須滿足預(yù)期工作溫度和工作電壓下的最小電容要求。陶瓷電容可采用各種各樣的電介質(zhì)制造，溫度和電壓不同，其特性也不相同。對(duì)于5V應(yīng)用，建議采用電壓額定值為6.3～10V的X5R或X7R電介質(zhì)。Y5V和Z5U電介質(zhì)的溫度和直流偏置特性不佳，因此不適合與LDO一起使用。

圖4所示為采用0402封裝的1μF、10V X5R電容與偏置電壓之間的關(guān)系。電容的封裝尺寸和電壓額定值對(duì)其電壓穩(wěn)定性影響極大。一般而言，封裝尺寸越大或電壓額定值越高，電壓穩(wěn)定性也就越好。X5R電介質(zhì)的溫度變化率在-40～+85℃溫度范圍內(nèi)為±15%，與封裝或電壓額定值沒(méi)有函數(shù)關(guān)系。

圖4 電容與電壓的特性關(guān)系

要確定溫度、元件容差和電壓范圍內(nèi)的最差情況下電容，可用溫度變化率和容差來(lái)調(diào)整標(biāo)稱電容，見(jiàn)公式1。
CEFF=CBIAS×(1-TVAR)×(1-TOL) (1)
其中，CBIAS是工作電壓下的標(biāo)稱電容；TVAR是溫度范圍內(nèi)最差情況下的電容變化率（百分率）；TOL是最差情況下的元件容差（百分率）。
本例中，X5R電介質(zhì)在–40～+85℃范圍內(nèi)的TVAR為15%；TOL為10%；CBIAS在1.8 V時(shí)為0.94μF，如圖4所示。將這些值代入公式1，即可得出：
CEFF=0.94μF×(1-0.15)×(1-0.1)=0.719μF
在工作電壓和溫度范圍內(nèi)，ADP151的最小輸出旁路電容額定值為0.70μF，因而此電容符合該項(xiàng)要求。