R₂=（2）

2.3 確定R₁電阻R₁必須滿足式（3）。

R₁R₂（3）

式中：V_B為門極驅(qū)動(dòng)電壓；

V_Bmax為最大的門極驅(qū)動(dòng)電壓；

V_clamp為管腳A的鉗位電壓；

V_F為二級管正向?qū)〞r(shí)的壓降；

I_A為芯片的鉗位電流。

2.4 C₁的選取

為了使芯片能夠承受相應(yīng)的過應(yīng)力，電容C₁必須滿足式（4）。

C₁C₂（4）

根據(jù)上面的公式，可以確定所需的參數(shù)：

R₁=2.2kΩ；C₁=220pF；R₂=3.9kΩ；C₂=560pF

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

本文以L6562為核心設(shè)計(jì)了一種固定關(guān)斷時(shí)間的新穎PFC電路，它的主要特點(diǎn)就是固定了MOSFET的關(guān)斷時(shí)間。在這種控制方法下，當(dāng)輸入電壓過零點(diǎn)附近時(shí)電路以DCM模式工作，在輸入電壓峰值附近時(shí)電路以CCM模式工作。實(shí)驗(yàn)證明實(shí)現(xiàn)了固定關(guān)斷時(shí)間控制。圖3和圖4分別給出了在電壓過零和峰值附近時(shí)的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形；圖5和圖6分別給出了輸出滿載時(shí)，在輸入電壓為115V和230V時(shí)的電感電流波形；圖7和圖8分別給出了輸出滿載時(shí)，在輸入電壓為115V和230V時(shí)的輸入電流波形。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在整個(gè)輸入電壓范圍之內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了固定關(guān)斷時(shí)間控制。

圖3 電壓過零時(shí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)

圖4 電壓峰值時(shí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)

圖5 電感電流波形（V_in=115V）