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          基于APFC控制芯片F(xiàn)AN7530的電壓型臨界工作模式

          作者: 時間:2010-11-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          提高開關(guān)電源的功率因數(shù),不僅可以節(jié)能,還可以減少電網(wǎng)的諧波污染,提高了電網(wǎng)的供電質(zhì)量。為此,研究出多種提高功率因數(shù)的方法,其中,有源功率因數(shù)校正技術(shù)(簡稱)就是其中的一種有效方法,它是通過在電網(wǎng)和電源之間串聯(lián)加入功率因數(shù)校正裝置,目前最常用的為單相升壓前置升壓變換器原理,它由專用實現(xiàn)的,且具有高效率、電路簡單、成本低廉等優(yōu)點,本文介紹的低成本即可實現(xiàn)該功能。

          1 的電路特點

          1.1 內(nèi)部電路

          如圖l所示,N DIP8封裝,也有SMD封裝(FAN7530M),內(nèi)部含有自啟動定時器、正交倍增器、零電流檢測器、圖騰柱驅(qū)動輸出、過壓力過流欠壓保護等電路。





          1.2 FAN7530 PFC的性能特點

          該芯片的最大特點是采用,其它性能特點如下:

          160μs的內(nèi)置啟動定時電路;

          低的THD及高的功率因數(shù);

          過壓、欠壓、過流保護;

          零電流檢測器;

          CRM控制;

          溫度低一40℃~+125℃;

          低啟動電流(40μA)及低工作電流(1.5mA)。

          FAN7530是一個引腳簡單、高性能的有源功率因數(shù)校正芯片。它是被優(yōu)化的、穩(wěn)定的、低功耗、高密度的電源芯片,且外圍元器件少,節(jié)省了PCB布線空間。內(nèi)置R/C濾波器,抗干擾能力強,對抑制輕載漂移現(xiàn)象增加了特殊電路。對輔助電源范圍不要求,輸出圖騰驅(qū)動電路限制了功率MOSFET短路的危險,極大地提高了系統(tǒng)的可靠性。

          2 有源功率因數(shù)校正原理設(shè)計

          2.1 功率因數(shù)校正原理

          如圖2所示,控制芯片采用FAN7530,功率MOSFET S1的通、斷受控于FAN7530的零點流檢測器,當(dāng)零電流檢測器中的電流降為零時,即升壓二極管D1中的電流為零時,S1導(dǎo)通,此時的電感L開始儲能,電流控制波形如圖3所示,這種零電流控制模式有以下優(yōu)點:





          由于儲能電感中的電流為零時,S1才能導(dǎo)通,這樣就大大減少了MOSFET的開關(guān)應(yīng)力和損耗,同時對升壓二極管的恢復(fù)時間沒有嚴格的要求,另一方面免除了由于二極管恢復(fù)時間過長引起的開關(guān)損耗,增加了開關(guān)管的可靠性。

          由于開關(guān)管的驅(qū)動脈沖時間無死區(qū),所以輸入電流是連續(xù)的,并呈正弦波,這樣大大提高了系統(tǒng)的功率因數(shù)。


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