該電路采用CSMC公司0．6／μm的工藝，仿真使用49級模型，得到以下結果：
(1)溫度系數(shù)。仿真是在輸入電壓4．0 V，溫度為-40～+100℃的條件下進行的。從圖3中可以看到基準電壓從-40℃的0．963 32 V變化到30℃時的0．962 35 V，因此該基準的溫度系數(shù)為(ppm／℃)：

(2)基準電壓的電源抑制比?；鶞孰妷旱碾娫匆种票热鐖D4所示。

從圖4和圖5可以看到，如果沒有增加M2，低頻時的PSRR只有-90 dB，高頻時則大約為-75 dB，電源抑制比的特性不是很好；如果增加了M2管，低頻時的PSRR為-120 dB，高頻時也能控制在-90 dB內(nèi)，電源抑制比得到了極大的提高。

(3)基準電壓的線性調(diào)整率。圖6為基準電壓的線性調(diào)整率特性曲線。從圖6中可以看到，基準電壓的線性調(diào)整率隨溫度的上升而減小。在25℃時，基準電壓從輸入電壓2．5 V對應的1．027 952 V變化到輸入電壓5．5 V對應的1．027 982 V，其線性調(diào)整率為：

3 結 語
在此分析介紹了一種低功耗基準電壓源電路的設計方案，該電路的最大功耗小于1μW，溫度系數(shù)為21 ppm／℃；同時由于電路結果較簡單，易于集成，已經(jīng)用于電池充電保護芯片。