由圖5可知，Ibias為電流源偏置，通過(guò)電流鏡結(jié)構(gòu)為整個(gè)運(yùn)放提供恒定的電流，輸入級(jí)采用電流抵消技術(shù)提高輸入阻抗，輸入信號(hào)由雙端輸入再由雙端輸出，提高了輸入信號(hào)的增益的同時(shí)又分別作為下一級(jí)差分運(yùn)放的輸入，經(jīng)過(guò)兩級(jí)放大，從而提高了輸入信號(hào)對(duì)功保兩個(gè)功率管在靜態(tài)時(shí)工作在微導(dǎo)通狀態(tài)，從而避免了CLASSB中由于功率管截止而導(dǎo)致的交越失真。為保證運(yùn)放穩(wěn)定工作，在電路第一級(jí)加入了密勒電阻電容網(wǎng)絡(luò)，適當(dāng)選取其取值，可以將運(yùn)放的相位裕度補(bǔ)償至60℃以上，達(dá)到穩(wěn)定性要求。由于運(yùn)放工作于放大狀態(tài)時(shí)輸出管p管和n管之間的小信號(hào)電阻較小，輸出管p管和n管沒(méi)有必要做密勒補(bǔ)償，而第一級(jí)放大器輸出端在運(yùn)放工作時(shí)輸出電阻較大，所以要在該點(diǎn)做密勒補(bǔ)償。

4 仿真結(jié)果與討論
對(duì)該運(yùn)放采用0．35μm CMOS數(shù)模混合工藝，用Cadence仿真工具進(jìn)行仿真驗(yàn)證，仿真環(huán)境為：電源電壓Vdd=5 V，Rload=32 Ω，T=27℃，典型條件下，運(yùn)算放大器的幅頻，相頻特性如圖6所示，電路的直流開(kāi)環(huán)增益為97．4 dB，相位裕度為84°，單位增益帶寬為4．23 MHz。運(yùn)放主要性能指標(biāo)的仿真結(jié)果如表1所示。

由表1可知，該運(yùn)放具有較好的頻率特性，較高的電壓增益，電源抑制比也較高，靜態(tài)功耗小，適合于音頻功率放大器的應(yīng)用。且當(dāng)輸入信號(hào)為200 mV的正弦波，負(fù)載為32 Ω時(shí)，該運(yùn)放的THD為0．024％。

5 結(jié)束語(yǔ)
為適應(yīng)低壓低功耗設(shè)計(jì)的發(fā)展趨勢(shì)，結(jié)合實(shí)際芯片設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了一個(gè)低電源電壓、低功耗的運(yùn)算放大器。輸入級(jí)采用電流抵消技術(shù)，在優(yōu)化輸入共模范圍的同時(shí)提高了放大器增益；兩個(gè)準(zhǔn)B類互補(bǔ)共源放大器控制全擺幅輸出級(jí)，具有電源電壓低、高頻特性好、不增加輸出級(jí)功耗和不會(huì)降低運(yùn)放的開(kāi)環(huán)增益等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)將控制電路與輸入級(jí)放大電路相結(jié)合以減小噪聲和失調(diào)，使電路更加緊湊、節(jié)省芯片面積、功耗也減少。仿真結(jié)果表明，該運(yùn)放在推動(dòng)32 Ω負(fù)載時(shí)，輸出功率95 mW，在20～20 kHz范圍內(nèi)的THD在0．1％內(nèi)，PSRR可達(dá)到97 dB。具有較好的應(yīng)用前景。