2.1電路參數(shù)仿真

電路參數(shù)仿真測試采用“DC Sweep Analysis”(直流掃描分析)方式。仿真方式、測試點的設(shè)置步驟是，在原理圖編輯窗口，執(zhí)行“Si-mulate”菜單下“Setup…”命令，進(jìn)入“Analysis Setup”仿真設(shè)置窗口，在“General”標(biāo)簽中選中“DC Sweep”，在“Available Signals”激活信號欄中選擇要觀測的信號“U220”，“Ua2”，“Ui”，“UL”，“US”，在“SimView Setup”欄中選中“Show Active Signal”。仿真參數(shù)設(shè)置與仿真結(jié)果如圖3所示。

按設(shè)計要求，當(dāng)市電在185～245 V(峰值為261.6～346.5 V)之間時，IC2的3腳應(yīng)處于復(fù)位狀態(tài)，圖3(b)中US為高電平;市電在185～245 V范圍之外時，US為低電平。由仿真結(jié)果可以看出，267.29 V>261.6 V，334.13 V346.5 V，故應(yīng)該修改R7，R8值，當(dāng)R7=576 Ω、R8=3.238 kΩ時，如圖4所示，工作電壓范圍滿足要求。

2.2 電路基本功能仿真

電路基本功能仿真測試主要驗證市電電壓發(fā)生變化時，電路能否按照設(shè)計要求對負(fù)載實現(xiàn)通電與斷電控制。仿真測試采用“Transient /Fourier Analysis”(瞬態(tài)特性分析)方式。其操作步驟與前面所述相似。分段電壓源VS參數(shù)“Time/Voltage”設(shè)置為：0，-400V;400m s，-220 V;600 ms，220 V;1 s，400 V。仿真參數(shù)設(shè)置與仿真結(jié)果如圖5所示。由圖5(b)可以看出，負(fù)載在市電峰值約為-346～-261 V及+261～+346 V(有效值185～245 V)范圍內(nèi)得到正常供電(RL兩端電壓UL-Ua2為正弦波)，在市電峰值-346～-261 V及+261～+346 V范圍外斷電(RL兩端電壓UL-Ua2=0)。瞬態(tài)特性分析與直流掃描分析結(jié)果有一定差異，這個問題可以在安裝調(diào)試過程中得到解決。

經(jīng)過上述方法對電路進(jìn)行簡化處理后，仿真過程中若仍有錯誤產(chǎn)生，對此，可不斷調(diào)整仿真步長值或改變仿真參數(shù)初始值，一般情況下都能完成仿真;仿真過程中警告類的錯誤一般不會導(dǎo)致仿真失敗，即使存在也是可以得到正確仿真結(jié)果的。

3 結(jié)語

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