引腳分配

　　功能說明

　?。?） LED 電流控制功能

　　MB39C601 是反激式開關(guān)調(diào)節(jié)控制器。它根據(jù) LED 負(fù)載來控制開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間或控制開關(guān)頻率，從而實(shí)現(xiàn)對 LED 電流的調(diào)節(jié)。與 LED 串聯(lián)的感應(yīng)電阻 （Rs） 將 LED 電流轉(zhuǎn)換為檢測電壓 （Vs）。外部誤差放大器 （Err AMP） 對 Vs 進(jìn)行比較。當(dāng) Vs 降低到參考電壓以下時(shí)，Err AMP 輸出上升，進(jìn)入光電耦合器的電流減小。導(dǎo)通時(shí)間控制方式，由光耦控制OTM 引腳的電流從而對導(dǎo)通時(shí)間控制模塊控制。當(dāng)OTM 引腳電流減小時(shí)導(dǎo)通時(shí)間增加。提供給LED 的電流同時(shí)被調(diào)節(jié)，因?yàn)閷?dǎo)通時(shí)間控制通常在固定開關(guān)頻率下使用。

　　頻率控制方式，由光耦控制FB 引腳電流從而對開關(guān)頻率控制模塊控制。當(dāng)FB 引腳電流減小時(shí)開關(guān)頻率增加。提供給LED的電流同時(shí)被調(diào)節(jié)，因?yàn)殚_關(guān)頻率控制通常在固定導(dǎo)通時(shí)間下使用。

　　（2） 級聯(lián)開關(guān)

　　初級繞組中的開關(guān)采用級聯(lián)連接。外部 MOSFET 的柵極與 VCG 引腳連接，源極與內(nèi)部驅(qū)動器 MOSFET 的漏極連接。開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，內(nèi)部驅(qū)動器 MOSFET 開啟，內(nèi)部 HS 驅(qū)動器 MOSFET 關(guān)閉，外部 MOSFET 的源極電壓下降至 GND。在該過程中，直流偏置通過VCG 引腳對外部MOSFET 柵極供能，而使外部MOSFET 開啟。開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，內(nèi)部驅(qū)動器 MOSFET 關(guān)閉，HS 驅(qū)動器 MOSFET 開啟，外部 MOSFET 的源極電壓上升至 VCG 電壓。外部 MOSFET 關(guān)閉。此外，進(jìn)入內(nèi)部驅(qū)動器 MOSFET 的電流等于初級繞組的電流。因此，可以在不使用采樣電阻的情況下對進(jìn)入初級繞組的峰值電流進(jìn)行檢測。

　?。?） 固有功率因數(shù)自調(diào)節(jié)（Power Factor Control）功能在交流電壓輸入中，當(dāng)使輸入電流波形接近正弦波，并使相位差接近零時(shí)，功率因數(shù)會得到改善。當(dāng)在不連續(xù)傳導(dǎo)模式下采用反激方式工作時(shí)，如果將輸入電容設(shè)置得比較小，則初級繞組的峰值電流 ：

　　在導(dǎo)通時(shí)間控制中，如果將誤差放大器的環(huán)路響應(yīng)設(shè)置為低于交流頻率（交流頻率的 1/10），則可以使導(dǎo)通時(shí)間保持不變。因此，輸入電流與輸入電壓成正比，從而使功率因數(shù)得到調(diào)節(jié)。

　　（4） 上電過程

　　當(dāng)電壓輸入 VBULK 時(shí)，電荷通過啟動電阻 （Rst） 充入 VCG 引腳的電容 （CVCG）。因此，VCG 引腳的電壓會上升。當(dāng) VCG引腳電壓達(dá)到外部 HVMOSFET 的閾值電壓時(shí)，源極跟隨器使 DRN 引腳電壓上升。

　　DRN 引腳通過內(nèi)部 VDD 開關(guān)與 VDD 引腳連接，VDD 電容 （CVDD） 從該 DRN 引腳充電。當(dāng) VDD 引腳電壓達(dá)到 UVLO閾值電壓時(shí)，VDD 開關(guān)關(guān)閉，內(nèi)部偏置電路工作，開關(guān)啟動。

　　開關(guān)啟動后，VDD 電壓由輔助繞組通過外部二極管（DBIAS）提供。輔助繞組與次級繞組的繞線圈數(shù)之比以及次級繞組的電壓決定了輔助繞組的電壓。因此，只有在輔助繞組的電壓上升至高于 VDD 引腳電壓時(shí)，才會提供 VDD 引腳電壓。必須設(shè)置 VDD 引腳的電容，以防止在此期間 VDD 引腳電壓下降到 UVLO 閾值電壓以下。DRN 引腳和 VDD 引腳之間需要一個(gè)外部肖特基二極管 （D1）。該二極管用于防止電流經(jīng)過 VDD 開關(guān)的體二極管。

　?。?） 掉電過程