PADDING-BOTTOM: 0px; MARGIN: 20px 0px 0px; WORD-SPACING: 0px; FONT: 14px/25px 宋體, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 0px; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px"> 該電路的版圖采用SMIC 0.35um工藝規(guī)則設(shè)計(jì)并對(duì)版圖進(jìn)行優(yōu)化，襯底接地采用全封閉的double gardring，有效降低了襯底的耦合噪聲，差分對(duì)采用啞柵共質(zhì)心匹配降低輸入電壓失調(diào)。另外，為了減小外圍電路對(duì)運(yùn)放的干擾，將后后級(jí)的濾波電容分散在運(yùn)放電路的周圍，優(yōu)化后的版圖面積為0.24mmx0.34mm，概貌如圖7。
圖7 版圖布局
5 結(jié)論
D類音頻功放的1/f噪聲和電壓失調(diào)對(duì)信號(hào)的失真和噪聲性能產(chǎn)生直接的影響，特別是在輸入信號(hào)為零時(shí)的背景噪聲最為明顯，通過采用全差分斬波運(yùn)放電路和T/H解調(diào)技術(shù)，有效地降低了系統(tǒng)的低頻噪聲和電壓火調(diào)。流片后的對(duì)芯片的測(cè)試表明，該電路使Class-D的噪聲性能有了很大的改善。
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評(píng)論