D類音頻功率放大器設(shè)計基礎(chǔ)
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13、D類功放中MOSFET選擇的其他考慮
*選擇合適的封裝和結(jié)構(gòu)
*功放的THD、EMI和效率，還受FET的體二極管影響?？s短體二極管恢復時間(工R的并聯(lián)肖特基二級管的FET);降低反向恢復電流和電荷，能改善THD;EMI和效率。
*FET結(jié)殼熱阻要盡可能小，以保證結(jié)溫低于限制。
*保證較好可靠性和低的成本條件下，工作在最大結(jié)溫。用絕緣包封的器件是直接安裝還是用裸底板結(jié)構(gòu)墊絕緣材料，依賴于它的成本和尺寸。
14、D類功放參考設(shè)計見圖6所示
*拓撲：半橋
*選用IR2011S(柵極驅(qū)動IC,最高工作電壓200V,Io+/-為1.0A/1.0A，Vout為10-20V,ton/off為8060ns,延時匹配時間為20ns);IRFB23N15D (MOSFET功率管ID=23A,R DS=90mΩ,Qg=37nC Bv=150V To-220封裝)
*開關(guān)頻率：400KHz(可調(diào))
*額定輸出：200W+200W/4歐
*THD:0.03%-1mhz半功率
*頻率響應(yīng)：5Hz-40KHz(-3dB)
*電源：～220v±50V
*尺寸：4.0“×5.5”
15、結(jié)論
如果我們在選擇器件時很謹慎，并且考慮到精細的設(shè)計布線，因為雜散參數(shù)有很大的影響，那么目前高效D類功放可以提供和傳統(tǒng)的AB類功放類似的性能。
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