DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關(guān)鍵特性

　　在沒有外部電源時下最少可以保存數(shù)據(jù)10年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護

　　沒有寫次數(shù)限制

　　低功耗CMOS操作

　　100ns的讀寫存取時間

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

　　可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(IND)溫度范圍

　　通過美國保險商實驗室協(xié)會(UL)認(rèn)證