DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。DIP封裝的DS1250器件可以直接用來替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。 PowerCap模塊封裝的DS1250器件為表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個(gè)完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關(guān)鍵特性

　　無外部電源時(shí)最少可以保存數(shù)據(jù)10年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護(hù)

　　替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存

　　沒有寫次數(shù)限制

　　低功耗CMOS操作

　　70ns的讀寫存取時(shí)間

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

　　±10% VCC工作范圍(DS1250Y)

　　可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)

　　可選的工業(yè)級溫度范圍：-40°C至+85°C，指定為IND

　　JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的32引腳DIP封裝

　　PowerCap模塊(PCM)封裝

　　表面貼裝模塊

　　可更換的即時(shí)安裝PowerCap提供備份鋰電池

　　所有非易失SRAM器件提供標(biāo)準(zhǔn)引腳

　　分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸