圖1電路，將-12V 電壓升壓到15.3V（相對(duì)于-12V 電壓），進(jìn)而得到3.3V 的電源電壓，
輸出電流可達(dá)300mA。Q2 將3.3V 電壓轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)碾妷海?10.75V）反饋給IC1 的FB 引腳，
PWM 升壓控制器可提供1W 的輸出功率，轉(zhuǎn)換效率為83%。整個(gè)電路大約占6.25Cm2的線路板
尺寸，適用于依靠臺(tái)式PC機(jī)電源供電，需要提供1W輸出功率的應(yīng)用，這種應(yīng)用中，由于-12V
總線電壓限制在1.2W以內(nèi)，因此需要保證高于83%的轉(zhuǎn)換效率。

通用的多電源總線，如VME、VXI 和PCI 總線，都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V
（或±24V）電源，如果在這些系統(tǒng)中添加設(shè)備（如插卡等），則需要額外的3.3V或5V電源，
這個(gè)電源通常由負(fù)載較輕的-12V電源提供。電路采用MAX668芯片。
由于限流電阻（RSENSE）將峰值電流限制在120mA，N 溝道MOSFET（Q1）可選用廉價(jià)的
邏輯電平驅(qū)動(dòng)型場(chǎng)效應(yīng)管，R1、R2 設(shè)置輸出電壓（3.3V 或5V）。IC1 平衡端（Pin5）的反饋
電壓高于PGND引腳（Pin7）1.25V，因此：
VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V
選擇電阻R1后，可確定：
I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA
可由下式確定R2：
R2 = （VOUT - VBE）/ I2 =（3.3V - 0.7V）/ 103μA = 25.2 kΩ
圖1 中，IC1 的開(kāi)關(guān)頻率允許通過(guò)外部電阻設(shè)置，頻率范圍為100kHz 至500kHz，有利
于RF、數(shù)據(jù)采集模塊等產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。當(dāng)選擇較高的開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，能夠保證較高的轉(zhuǎn)換效率，
并可選用較小的電感和電容。為避免電流倒流，可在電路中增加一個(gè)與R1串聯(lián)的二極管。