在數(shù)字系統(tǒng)的設計中，F(xiàn)PGA+ARM的系統(tǒng)架構得到了越來越廣泛的應用，F(xiàn)PGA主要實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)的處理；ARM主要實現(xiàn)系統(tǒng)的流程控制。人機交互。外部通信以及FPGA控制等功能。I2C、SPI等串行總線接口只能實現(xiàn)FPGA和ARM之間的低速通信; 當傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量較大。要求高速傳輸時，就需要用并行總線來進行兩者之間的高速數(shù)據(jù)傳輸。

　　下面基于ARM處理器LPC2478 以及FPGA器件EP2C20Q240，以ARM外部總線的讀操作時序為例，研究兩者之間高速傳輸?shù)?a class="contentlabel" href="http://cafeforensic.com/news/listbylabel/label/并行總線">并行總線；其中，數(shù)據(jù)總線為32位；并在FPGA內部構造了1024x32bits的SRAM高速存儲緩沖器，以便于ARM處理器快速讀寫FPGA內部數(shù)據(jù)。

　　1 ARM并行總線的工作原理

　　ARM處理器LPC2478的外部并行總線由24根地址總線。32根數(shù)據(jù)總線和若干讀寫、片選等控制信號線組成。根據(jù)系統(tǒng)需求，數(shù)據(jù)總線寬度還可以配置為8位，16位和32位等幾種工作模式。

　　在本設計中，用到ARM外部總線的信號有：CS.WE.OE.DATA［310］.ADDR［230］.BLS等。CS為片選信號，WE為寫使能信號，OE 為讀使能信號，DATA為數(shù)據(jù)總線，ADDR地址總線，BLS為字節(jié)組選擇信號。ARM的外部總線讀操作時序圖，分別如圖1所示。

　　根據(jù)ARM外部并行總線操作的時序，ARM外部總線的讀寫操作均在CS為低電平有效的情況下進行。由于讀操作和寫操作不可能同時進行，因此WE和OE信號不能同時出現(xiàn)低電平的情況。

　　數(shù)據(jù)總線DATA是雙向的總線，要求FPGA也要實現(xiàn)雙向數(shù)據(jù)的傳輸。在時序圖中給出了時序之間的制約關系，設計FPGA時應該滿足ARM信號的建立時間和保持時間的要求，否則可能出現(xiàn)讀寫不穩(wěn)定的情況。

　　2 FPGA的并行總線設計

　　2.1 FPGA的端口設計

　　FPGA 和ARM之間的外部并行總線連接框圖，如圖2所示。由于FPGA內部的SRAM存儲單元為32位，不需要進行字節(jié)組的選擇，因此BLS信號可以不連接。為了便于實現(xiàn)ARM和FPGA之間數(shù)據(jù)的快速傳輸，F(xiàn)PGA內部的SRAM既要與ARM處理器進行讀寫處理，還要跟FPGA內部的其他邏輯模塊進行數(shù)據(jù)交換，因此SRAM采用雙口RAM來實現(xiàn)。

　　從端口的方向特性看，DATA端口是INOUT（雙向）方式，其余端口均為IN（輸入）方式。從端口的功能看，clk20m是全局時鐘，在實現(xiàn)時應采用 FPGA的全局時鐘網(wǎng)絡，這樣可以有效減少時鐘延時，保證FPGA時序的正確性。ADDR是16位的地址總線，由ARM器件輸入到FPGA。DATA是 32位的雙向數(shù)據(jù)總線，雙向總線的設計是整個設計的重點。OE為ARM輸入到FPGA的讀使能信號。