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          PIC單片機(jī)常見14問

          作者: 時間:2012-12-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          7、PIC16C7XX的A/D片內(nèi)RC振蕩器能否用于計數(shù)器?

          16C71A/D轉(zhuǎn)換器片內(nèi)RC振蕩器的作用是讓MCU處于睡眠時(此時主振停振)能有一個時鐘源來進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換。此RC振蕩器因其內(nèi)部設(shè)計的限制不能被其他電路使用。A/D轉(zhuǎn)換器內(nèi)部RC振蕩器鐘頻典型值為250K,但會隨著環(huán)境溫度,工作電壓,產(chǎn)品批號等不同而有相當(dāng)?shù)淖儎印6〞r器的時鐘源可以選擇內(nèi)部的振蕩頻率,也可以是外部的脈沖輸入信號。若你能選擇后者,那就能方便地做到MCU的主頻很高而時鐘的溢出率較低。不然,除了用軟件來計數(shù)分頻,好象也沒有其它招數(shù)。另一種選擇是用其它型號的MCU,其內(nèi)部至少還另有一個TIMER1,因為TIMER1可以有獨立的一顆晶體作為時鐘振蕩的基準(zhǔn),你可以方便地選用頻率低的晶體來完成你的設(shè)計。

          8、為何使用PICSTAR-PLUS燒寫16CE625-04/P有時無法把保密位燒成"保密"?

          使用PICSTAR-PLUS對芯片編程時,程序代碼是放在計算機(jī)的RAM中,每次寫程序時通過串口把數(shù)據(jù)下載到燒寫器中去編程,所以可能會出錯。我不懷疑你操作有問題,但是請注意的PICSTAR-PLUS是用于開發(fā)用途的編程器,不推薦用于規(guī)模生產(chǎn)。你能計算出出錯概率為1%,看來你是用它來作大規(guī)模生產(chǎn)了。為保證燒寫可靠,推薦你使用高奇公司生產(chǎn)的PICKIT編程器。

          9、為什么應(yīng)用中,有時出現(xiàn)上電工作正常,而進(jìn)入睡眠后喚醒不了?

          (應(yīng)用中晶體選擇的注意事項?)

          對于一個高可靠性的系統(tǒng)設(shè)計,晶體的選擇非常重要。在振蕩回路中,晶體既不能過激勵(容易振到高次諧波上),也不能欠激勵(不容易起振)。尤其在設(shè)計帶有(往往用低電壓以求低功耗)的系統(tǒng)中,若還是隨手拿一顆晶體就用,你的系統(tǒng)可能會出問題。這是因為低供電電壓使提供給晶體的激勵功率減少,造成晶體起振很慢或根本就不能起振。這一現(xiàn)象在上電復(fù)位時并不特別明顯,

          原因時上電時電路有足夠的擾動,很容易建立振蕩。在時,電路的擾動要比上電時小得多得多,起振變得很不容易。

          有人評價對晶體的要求怎么這么高?用51好象從來就沒有這么麻煩,手里抓到什么就用什么,也不見有問題呀?且慢,這樣比較前提并不一樣,同樣在睡眠時,有誰見過51系列不用復(fù)位而僅靠內(nèi)部或外部事件喚醒嗎?若你并不需要這么高級的設(shè)計技術(shù),PIC也大可以讓你逮到什么晶體就用什么。

          評價振蕩電路是否工作在最佳點的簡單方法時用示波器看OSC2腳上的波形(必須考慮示波器接入電容!)最好的情形是看到非常干凈漂亮的正弦波,沒有任何波形畸變,而且要滿幅(接近VCC和GND)晶體的選擇至少必須考慮:諧振頻點、負(fù)載電容、激勵功率、溫度特性、長期穩(wěn)定性。

          12、PIC單片機(jī)型號的溫度級如何識別?

          以16C54-04X / P為例:

          X =沒有,商業(yè)級,溫度范圍是0-70℃;

          X= I,工業(yè)級,-40-85℃;

          X = E,汽車級,-40-125℃;

          例如:PIC16C54C-04/P 商業(yè)級 PIC16C54C-04I/P 工業(yè)級 PIC16C54C-04E/P 汽車級。

          13、PIC單片機(jī)的各種中斷有沒有優(yōu)先級之分?

          中檔PIC單片機(jī)的中斷入口只有一個,硬件不分優(yōu)先級,但可用軟件查詢的方式?jīng)Q定其優(yōu)先級高低:先查先做,優(yōu)先級為高。高檔的17和18系列,包括即將推出的16位dsPIC,中斷有硬件優(yōu)先級。

          14、PIC單片機(jī)型號中,后綴A/B/C分別代表什么?

          PIC單片機(jī)型號中,后綴A/B/C表示的是芯片生產(chǎn)的工藝不同。從A到C是工藝不斷更新,硅片圓盤(Wafer)的直徑變大,線寬變窄,線距變密,在同一個圓盤上可以制作出更多的芯片,從而降低了生產(chǎn)成本。從功能角度來看,三者是一樣的。當(dāng)然,新版本的芯片中會把現(xiàn)有版本中存在的一些問題作些修正,功能會得到擴(kuò)充。從性能指標(biāo)上來講,三者有些差距,一個明顯的表現(xiàn)是在電源電壓的承受范圍,制作線寬越細(xì),所能承受的電壓越低。例如,PIC16C57的最高電源電壓指標(biāo)為6V,而57C的指標(biāo)為5.5V。絕大多數(shù)情況下新版的片子可直接替換舊版。從目前發(fā)現(xiàn)的問題來看,主要出在晶體振蕩電路部分。原因是新版芯片振蕩電路內(nèi)部的反向放大器的增益要比舊的高出許多。若晶體選擇的不合理,可能會振蕩到高次諧波上去。。有些客戶也提出新版的片子抗干擾的性能不比舊版的片子。

          其實,我們公布的技術(shù)指標(biāo)在這方面并沒有任何犧牲,只是工藝上的原因,我們留的余量減少了。請大家注意不要認(rèn)為PIC的片子抗干擾能力強(qiáng),在電路設(shè)計時就一點不考慮應(yīng)有的抗干擾措施。

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