低k1光刻（Photolithography）工藝提高了RET（Resolution Enhancement Technology）在納米設(shè)計中的應(yīng)用復(fù)雜度。在45納米，更多的復(fù)雜模式、工藝的窗口修正（window correction）、以及驗證需求增加了計算負(fù)擔(dān)。在雙重壓力下，45納米工藝需要更加先進(jìn)的光刻工具。

Mercury的Cell 芯片

明導(dǎo)電子科技（Mentor Graphics）日前繼Calibre OPCverify工具之后，又推出新一代的光學(xué)接近效應(yīng)修正技術(shù)（OPC）解決方案Calibre nmOPC。Mentor Graphics設(shè)計與制造部門總經(jīng)理Joe Sawicki告訴記者，Calibre nmOPC的幾項創(chuàng)新包括高密度模擬（Dense Simulation）,優(yōu)化了OPC的工藝窗口，采用硬件加速的綜合計算平臺（Cell Broadband Engine處理器）等等都是用來應(yīng)對45納米工藝下新的光刻需求。由于工藝變異可能對芯片良率產(chǎn)生極大影響，這種現(xiàn)象在光刻工藝中尤其明顯。為了提高良率，Calibre nmOPC的高密度模擬能力可以提供100%的模擬覆蓋整個掩膜，而窗口修正的優(yōu)化算法可以確保硅圖案化（Silicon-patterning）的成功。同時Mentor Graphics還攜手Mercury Computer Systems共同開發(fā)基于高性能Cell BE處理器的標(biāo)準(zhǔn)多核高速計算機(jī)集群，Cell BE處理器提高了Calibre nmOPC的圖像處理4-10倍的速度。

Joe Sawicki表示結(jié)合OPC驗證工具Calibre OPCverify，Calibre nmOPC將把計算光刻技術(shù)帶進(jìn)一個新的時代——更高的模擬精度，更優(yōu)化的性能和更低的成本。(崔澎)