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          混合信號單片機C8051F060存儲系統(tǒng)的編程

          作者: 時間:2011-02-28 來源:網(wǎng)絡 收藏
          美國Cygnal公司推出的C8051F系列,將51系列級推向了SoC時代。特別是C8051F06X系列,更是集當前最新發(fā)展技術于一身,其功能已完全達到板卡級水平。C8051F060是高度集成的片上系統(tǒng)混合信號單片機[1],采用與8051兼容的專利內(nèi)核CIP-51,速度高達25MIPS;有多達59個數(shù)字I/O口,5個16位通用定時器,6個帶有捕捉/比較模塊的可編程定時器/計數(shù)器陣列;8路10位ADC帶可編程放大器和多路選擇器,2路1Msps的16位ADC,2路12位DAC,3個電壓比較器,片內(nèi)溫度傳感器和參考電壓源;硬件串行接口SPI,SMBus/I2C和UART可同時使用,片上CAN2.0B控制器;片上看門狗定時器,電源監(jiān)視器,2.7~3.6V的低壓供電,片內(nèi)JTAG調(diào)試和邊界掃描單元等。特別是該系列單片機的存儲器組織,與其它系列單片機相比[2],容量大,靈活多變,初學者往往感到不適應。本文根據(jù)筆者使用體會,通過程序舉例介紹其存儲器結(jié)構及使用方法。

          1 C8051F060單片機的存儲器結(jié)構

          圖1 是C8051F060單片機的存儲器結(jié)構圖。顯然,該單片機采用了標準8051的程序和數(shù)據(jù)存儲器獨立編址的結(jié)構,程序存儲器為64KB的Flash結(jié)構,外加128字節(jié)Flash;數(shù)據(jù)RAM除包含標準256字節(jié),還有4KB片上XRAM和可外擴64KB數(shù)據(jù)存儲器的接口。 圖1 C8051F060單片機的存儲器結(jié)構圖

          2 數(shù)據(jù)存儲器及其編程

          數(shù)據(jù)存儲器分為內(nèi)部存儲器和外部存儲器。內(nèi)部RAM包含256字節(jié),其高端128字節(jié)為雙映射結(jié)構,即間接尋址訪問128字節(jié)通用RAM,直接尋址訪問128字節(jié)的特殊功能寄存器SFR地址空間,這個空間又分為256個SFR頁,由特殊功能寄存器SFRPAGE來切換。這樣,單片機就有足夠的SFR來設定和配制各種接口資源,并為以后擴展預留了足夠的空間,見例程1;低端的128字節(jié)RAM可通過直接或間接尋址來訪問,這和80的RAM完全一樣。其中前32個字節(jié)是4個通用工作寄存器區(qū),接下來的16字節(jié)機可以按字節(jié)尋址,也可以按位尋址。

          C8051F060單片機還有一個4KB的片內(nèi)XRAM,其尋址范圍以4KB為邊界覆蓋整個64KB的外部數(shù)據(jù)存儲器地址空間。另外,該單片機還有一個外部存儲器接口EMIF,用于訪問片外數(shù)據(jù)存儲器。外部數(shù)據(jù)存儲器尋址范圍可以只映射為片內(nèi)存儲器、片外存儲器或二者的組合,即4KB以內(nèi)指向片內(nèi),4KB以上指向外部存儲器接口EMIF,該EMIF可以配置為復用和非復用地址線/數(shù)據(jù)線兩種方式。編程步驟是:①EMIF端口的選擇和配置;②確定地址形成非復用/復用和地址/數(shù)據(jù)復用方式;③存儲器方式為片內(nèi)方式,不帶地址選擇的分片方式,有地址選擇的分片方式,片外工作方式;④確定接口定時參數(shù)。

          例程1:高端128字節(jié)的尋址

          ;直接尋址于SFR

          MOV 0F0H,#5AH

          ;間接尋址于高端RAM

          MOV R0,#0F0H

          MOV @R0,#0A5H

          在復位缺省狀態(tài)下,MOVX指令訪問4KB片內(nèi)XRAM,可用16位間址,也可用8位間址指令來尋址,這時高端地址放在EMI0CN寄存器中,如例程2。

          例程2:4K XRAM 8/16位讀寫

          4K XRAM 16位讀寫

          MOV A,#36H

          MOV DPTR,#0000H

          MOVX @DPTR,A

          MOV DPTR,#0000H

          MOVX A,@DPTR

          MOV R6,A

          4K XRAM 8 位讀寫

          MOV EMI0CN,#00H

          MOV R0,#01H

          MOV A,#37H

          MOVX @R0,A

          MOV EMI0CN,#00H

          MOV R0,#01H

          MOVX A,@R0

          MOV R7,A

          例程3為非復用方式XRAM寫,是分片無塊選方式。注意分片方式有兩種,分為有塊選擇和無塊選擇兩種,對16位間址是一樣的,對8位間址有區(qū)別。例程4是非復用分片方式讀,為有塊選方式,要特別注意特殊功能寄存器EMI0CF的賦值。

          例程3:片外XRAM寫

          MOV SFRPAGE,#0FH

          MOV P4MDOUT,#0FFH

          MOV P5MDOUT,#0FFH

          MOV P6MDOUT,#0FFH

          MOV P7MDOUT,#0FFH

          CLR P4.5

          NOP

          MOV SFRPAGE,#00H

          MOV PSCTL,#00H

          MOV EMI0TC,#45H

          MOV EMI0CF,#34H

          CLR EA

          NOP

          MOV DPTR,#4000H

          MOV A,#39H

          MOVX @DPTR,A

          NOP

          SETB EA

          MOV SFRPAGE,#0FH

          SETB P4.5

          例程4: 片外XRAM讀

          MOV SFRPAGE,#0FH

          CLR P4.5

          MOV SFRPAGE,#00H

          MOV EMI0TC,#45H

          MOV EMI0CF,#38H

          CLR EA

          NOP

          MOV DPTR,#4000H

          MOVX A,@DPTR

          NOP

          SETB EA

          MOV SFRPAGE,#0FH

          SETB P4.5

          注意,在對片外XRAM進行讀寫時,指令尋址時序并不產(chǎn)生片選信號,所以要先置CS片選端為低,本例中為P4.5端,具體電路圖略。而WR和RD信號由接口參數(shù)確定時序,但P4.5在0F頁,一定要注意頁切換。

          3 程序存儲器及其編程

          C8051F060單片機的程序存儲器為64KB的Flash存儲器,它能以512字節(jié)為扇區(qū)實現(xiàn)在系統(tǒng)編程,無需提供片外專用編程電壓,其中從0xFC00~0xFFFF的1024字節(jié)為保留區(qū)。另外,從0x10000~0x1007F的128字節(jié)Flash存儲器,可以作為非易失存儲器,由軟件來訪問,它最適合用于存放系統(tǒng)參數(shù)等,參見例程5。64KB的Flash存儲器區(qū)除了可以存放程序代碼外,也可以用來存放非易失數(shù)據(jù)。既可以在開發(fā)系統(tǒng)中,通過JTAG接口編程,也可以用MOV指令來實現(xiàn)軟件編程,參見例程6。注意,在對Flash存儲器操作時,讀操作用MOVC指令,寫操作用MOVX指令,若用MOVX讀操作時,只能讀到XRAM區(qū)。另外,要特別搞清楚程序存儲讀/寫控制寄存器PSCTL和Flash存儲器控制寄存器FLSCL的各個位的確切含義。

          例程5:128 Flash讀寫

          ;128 Flash 讀

          MOV SFRPAGE,#00H

          MOV PSCTL,#04H

          MOV FLSCL,#40H

          MOV DPTR,#0020H

          CLR A

          MOVC A,@A+DPTR

          MOV PSCTL,#00H

          MOV R7,A

          ;128 Flash 寫

          MOV FLSCL,#01H

          MOV PSCTL,#07H

          CLR A

          MOV DPTR,#0020H

          MOVX @DPTR,A

          MOV PSCTL,#05H

          MOV A,#35H

          MOV DPTR,#0020H

          MOVX @DPTR,A

          MOV PSCTL,#00H

          MOV FLSCL,#00H

          例程6:64K程序Flash讀寫

          ;64K Flash 讀

          MOV SFRPAGE,#00H

          MOV PSCTL,#00H

          MOV FLSCL,#40H

          MOV DPTR,#2020H

          CLR A

          MOVC A,@A+DPTR

          MOV R6,A

          ;64K Flash寫

          MOV FLSCL,#01H

          MOV PSCTL,#03H

          CLR A

          MOV DPTR,#2020H

          MOVX @DPTR,A

          MOV PSCTL,#01H

          MOV A,#33H

          MOV DPTR,#2020H

          MOVX @DPTR,A

          MOV PSCTL,#00H

          MOV FLSCL,#00H

          由于Flash存儲器只能寫0不能寫1,只能通過對其寫數(shù)據(jù)前擦除來實現(xiàn)寫1,所以每次寫Flash存儲器前,都要進行擦除操作。由于64KB的Flash是以512字節(jié)為一頁組織的,擦除寫操作對整個頁進行了寫0FFH操作,為提高速度,不必逐字節(jié)操作,只要對其中的任一字節(jié)進行操作即可。



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