1995年，日亞公司，又研制成功InGaN／AIGaN雙異質(zhì)結(jié)的燭光級超高亮度藍(lán)色LED，在20mA的正向電流下，輸出功率為1．5mW，外量子效率為2．7％，波長和半寬分別為450nm和70rim。

　　1997年，Schlotter等人和Nakamura等人先后發(fā)明了用藍(lán)光管芯加黃光熒光粉封裝成白光LED。

　　2001年，Kafmann等人，用UV LED激發(fā)三基色熒光粉得到白光LED。過去的幾年中，白光LED引起了LED產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛重視。

　　2006年，Cree公司，宣布推出一款新的冷白光LED—“XP．G”，發(fā)光效率和亮度都創(chuàng)下新的記錄，其在驅(qū)動(dòng)電流為350mA時(shí)，光通量達(dá)1391m，光效為1321m／W，亮度和光效分別比Cree最亮的XR．E LED提高37％和53％，被稱之為“業(yè)界最亮且具有最高效率的照明級LEDt211”。

　　2007年，日亞公司，發(fā)布了其新型LED，該實(shí)驗(yàn)型產(chǎn)品在順向電流為350mA的條件下，光通量可達(dá)1451m，發(fā)光效率約為1341m／W，芯片的大小為lmm2，色溫為4988K(在Ir=20mA的情況下，發(fā)光效率更高達(dá)169 lm／W)。近兩年，日亞公司生產(chǎn)的GaN基LED，無論是藍(lán)光、紫光、紫外還是白光LED均為國際上最高水平，其中460nm的藍(lán)光LED的外量子效率可以達(dá)到34．9％。

　　2007年，美國的Cree公司，在SiC襯底上生長雙異質(zhì)結(jié)，制作的器件同樣很出色，SiC襯底可以把Gabl基LED的金屬電極制造在襯底的底部，電流能夠通過低阻導(dǎo)電襯底的垂直流動(dòng)，也為發(fā)展其它光電子器件奠定了基礎(chǔ)。此公司在SiC上生長GaN基LED無論是小尺寸芯片藍(lán)光LED和紫光LED還是大尺寸藍(lán)光LED和紫光LED均屬國際頂級水平。

　　看過之后我們會(huì)發(fā)現(xiàn)，近幾年，還是美國Cree公司和日本日亞公司在繼續(xù)深入研究，并取得了一定成果。但LED的材料和工藝，并沒有技術(shù)性的突破。雖然有很多機(jī)構(gòu)在研究，只有少數(shù)公司成功了，LED的技術(shù)難度可想而知。