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          采用創(chuàng)新降耗技術應對FPGA靜態(tài)和動態(tài)功耗的挑戰(zhàn)

          作者: 時間:2009-04-24 來源:網(wǎng)絡 收藏

          最低功耗、最高性能

          為得到高效率和性能, III 借力一個自適應邏輯模塊(ALM)邏輯架構(gòu)和多路徑(MultiTrack)互連構(gòu)造。這種結(jié)合允許以更少布線整合更多邏輯。

          ALM技術(據(jù)說可比其它架構(gòu)實現(xiàn)多80%的邏輯功能)包括一個8輸入可分割(fracturable)查找表(LUT)、兩個2位累加器和兩個寄存器。

          多路徑互連提供不同LAB間的單跳式(onehop)連接能力且可通過由一個LAB到達另一個LAB所需“跳”的數(shù)量來測量。增加連通所需的“跳”也就增加了電容;“跳”的越少,則為滿足性能所需的高速邏輯就越少。多路徑互連提供單“跳”連通性,因此所需的功耗最低(圖7)。

          III 中采用了分級時鐘技術以支持多達360個獨立時鐘。每一時鐘網(wǎng)絡的覆蓋范圍可被控制在一個LAB內(nèi)。具有共同時鐘的邏輯被組合進LAB。時鐘僅覆蓋到采用該時鐘的邏輯域。所有其它時鐘信號全部被關閉以把功耗降至最低。

          省電的存儲器接口

          雙數(shù)據(jù)速率(DDR)存儲器接口是目前設計最常用的I/O接口,它們可能會相當耗電。為解決這些功耗問題,設計師可求助動態(tài)片上終止和DDR3。

          當讀寫外部存儲器時,同時擁有一個串行和并行終止阻抗匹配緩沖器至關重要。當寫存儲器時,若有一個50?的過渡線,則需一個串接阻抗為50?的匹配緩沖器。當讀存儲器時,則需一個50?的并接終止電阻連至終止電壓。這種處理不僅用于DDR型接口,也用于RLDRAM和QDRRAM。



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