2、主電源

2.1、主電源設(shè)計(jì)

主電源采用移相全橋拓?fù)?。全橋電路易于?shí)現(xiàn)大功率的輸出，而移相全橋作為全橋電路的改良版本，在整機(jī)效率方面更具備優(yōu)勢(shì)。橋式電路中串入諧振電感，諧振電感與MOS管的寄生輸出電容Coss之間諧振。從而在MOS管開(kāi)啟之間使得DS端電壓為零，實(shí)現(xiàn)零壓開(kāi)啟。因?yàn)閷?shí)現(xiàn)了MOS管的零壓開(kāi)啟，降低了驅(qū)動(dòng)電路以及MOS管Qg常數(shù)的要求，使得器件成本也隨之降低。使用雙象可控硅作為倍壓開(kāi)關(guān)。單向可控硅可斷開(kāi)整個(gè)主電源的供電。當(dāng)可控硅完全斷開(kāi)時(shí)，整個(gè)主電源電路上所有器件均無(wú)電流環(huán)路，除去可控硅本身極小的漏電流，主電路無(wú)功耗損失。

2.2、倍壓結(jié)構(gòu)和原理

倍壓方式與手動(dòng)倍壓原理一致，當(dāng)交流電壓處于1、2象限時(shí)，電流流向?yàn)?紅色軌跡)：AC+ -》 D1 -》 CAP1 -》 K -》 AC-，電源給給電容CAP1充電，其電壓將達(dá)到交流峰值;當(dāng)交流電壓處于3、4象限時(shí)，電流流向?yàn)?綠色軌跡)：AC- -》 K -》 CAP2 -》 D4 -》 AC+.，電源給電容CAP2充電，其電壓也將達(dá)到交流峰值。因此，整流后的電壓將會(huì)雙倍于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)狀態(tài)的電壓。

AC輸入電壓為AC100V-127V和AC220V-240V.由公式可知整流輸出后電壓范圍為：

DC283-DC360V.充分考慮器件分壓：如電容ESR、開(kāi)關(guān)管壓降、EMI器件壓降，可以認(rèn)為在重載情況下整流導(dǎo)通約為60度，電壓取值可以認(rèn)為在：DC245V-DC360V.相對(duì)于普通全壓電源電壓取值范圍(將達(dá)到：DC122- DC360V)有大幅度衰減。

3.3 輔助電源

輔助電源采用反激RCD拓?fù)?。輔助電源為所有控制電路提供電力，由于整體要求功耗低于15W，選用反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的集成方案實(shí)現(xiàn)。

無(wú)論在體積和成本控制均為理想的選擇。集成方案中常引入了‘打嗝’模式很容易將功耗控制在0.3W以內(nèi)。3.4 控制電路

過(guò)零邏輯電路、倍壓邏輯電路、可控硅驅(qū)動(dòng)電路等組成控制電路。由于使用單向可控硅和雙向可控硅相結(jié)合可以切斷整流后級(jí)電路(包含濾波電容)，理論上后級(jí)電路零功耗。

結(jié)合輔助火牛，整機(jī)待機(jī)功耗可輕易控制在0.5W以內(nèi)，滿足‘能源之星’的要求。

3.4.1 過(guò)零電路

由于沒(méi)有NTC的阻流作用，控制電路還須實(shí)現(xiàn)ZVS控制。倍壓控制邏輯和ZVS控制邏輯必須保持同步。驅(qū)動(dòng)電路則使用光耦進(jìn)行隔離驅(qū)動(dòng)，有效避免可控硅驅(qū)動(dòng)電位不一致的問(wèn)題。

圖2-4中比較器U1-B可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)過(guò)零狀態(tài)，同時(shí)為避免多次過(guò)零判斷，加入R101完成過(guò)零邏輯自鎖。圖2-5和2-6為實(shí)測(cè)電壓和電流波形。

其中圖2-5為使用NTC限流電路，在電源開(kāi)啟瞬間電壓和電流波形。圖2-6為零壓開(kāi)關(guān)電路，電流得到很好的控制，電流有一個(gè)從‘0‘

開(kāi)始變大的過(guò)程。浪涌電流也低于NTC限流電路，浪涌電流得到明顯的控制，且不受開(kāi)機(jī)間隔的限制，可以任意開(kāi)關(guān)次數(shù)和頻率的限制，效果非常明顯。