如果電流阱高效運(yùn)行，則重要的是VSET和VDS之間的壓降小。內(nèi)置失調(diào)抑制功能運(yùn)放的LED驅(qū)動(dòng)器可將VSET保持在低至125mV~250mV的水平。要讓VDS有一個(gè)高于VDS ( SAT)150mV的額外的裕度， 則電流阱就要有大約400mV的總壓降。如果一串LED含有8個(gè)LED(VF=8×3.2=25.6V)，則ISINK會(huì)產(chǎn)生大約1.5%的功率損失。若AMS的背光LED驅(qū)動(dòng)器不支持電壓失調(diào)抑制功能，則所需的VSET就會(huì)更高，這樣一來(lái)在電流阱上的功率損失也會(huì)更大。

電源優(yōu)化

如上所述，從LED驅(qū)動(dòng)器到SMPS之間的反饋回路將漏極電壓設(shè)定為最小值。輸出電流阱的實(shí)現(xiàn)方法有兩種，一種方案是用簡(jiǎn)單確定的電流輸出驅(qū)動(dòng)器和一只外接電容(圖7a)；也可以采用一個(gè)數(shù)字控制電路設(shè)定起動(dòng)/釋放時(shí)間，并用一個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(IDAC)控制電流輸出(圖7b)。

上述兩種方案均提供高的效率，適用于帶電壓反饋的所有類(lèi)型SMPS，也可以將來(lái)自多個(gè)驅(qū)動(dòng)器的反饋線接到相同SMPS上，如混合架構(gòu)系統(tǒng)要求的那樣。不過(guò)，第二種數(shù)字實(shí)現(xiàn)還具備一些特殊優(yōu)勢(shì)。除了無(wú)需輸出電容器以外，數(shù)字電路還使設(shè)計(jì)人員不用定義反饋系統(tǒng)的起始和衰減時(shí)間。將一個(gè)帶衰減延遲的快速起動(dòng)時(shí)間與相對(duì)緩慢的衰減相結(jié)合，可以提高顯示器的性能。

在需要快速改變亮度的場(chǎng)景下，上述數(shù)字電路的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)得更為明顯。此時(shí)，當(dāng)屏幕由暗改變至全亮?xí)r，快速的起動(dòng)時(shí)間消除了可察覺(jué)的虛假亮度效果。模擬解決方案是在一個(gè)短暫黑幀期間，逐步地調(diào)節(jié)LED的輸出，因此如果下個(gè)明亮幀是全亮，就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)可察覺(jué)的延遲。