5、2 模型比較

　　與 E－模式的使用不同，其它同類競爭產(chǎn)品通常使用一個與其數(shù)據(jù)相匹配的任意擬合 (fit)，其并非基于任何物理介電層退化模型。如圖 4 中所示的功率擬合就是其中的一個實例。圖 3 中使用的相同數(shù)據(jù)在此處被繪制出來，通過使用一條如圖 4 所示的功率曲線產(chǎn)生出一條最佳擬合趨勢線。正如我們能看到的那樣，通過使用這種方法有望獲得更長的使用壽命。將已發(fā)布的電感耦合器件的同類競爭產(chǎn)品數(shù)據(jù)（也是在 10-ppm 水平時的數(shù)據(jù)）包括在內(nèi)，以進行對比。通過使用以年為單位的時間刻度來發(fā)布競爭產(chǎn)品數(shù)據(jù)；因此，圖 4 中，將這些單位從年轉(zhuǎn)換到秒，以進行比較。TI 優(yōu)先選擇 TDDB E－模式是因為這種模式較為可靠，而且與其他模式或者最佳數(shù)據(jù)擬合方法相比較，其可以帶來高可信度的預測。

　　輸入至輸出電壓-Vrms

　　注釋：3E+0.8秒=10 年

　　圖 4、基于最佳曲線擬合的高壓使用壽命

　　6、結(jié)論

　　在 560V 的工作電壓下，ISO72x 系列產(chǎn)品可以安全工作超過 25 年。結(jié)果還表明，隔離層是穩(wěn)健的，并且可以經(jīng)受高達 4000 Vpeak 或 2828 Vrms 的多種高壓擊穿情況（如 VIOTM 額定電壓規(guī)定的那樣）。

　　7、參考書目

　　1、《在長期/低場測試條件下，SiO2 的 E 模型與 1/E TDDB 模型的比較》，作者： TI 和加州大學伯克萊分校 (University of California at Berkeley) 的 McPherson、Vijay Reddy、Kaustav Banerjee 以及 Huy Le，IEDM 98-171-174。

　　2、《集成電路中低 K 互連介電層擊穿的可靠性分析方法》，作者： G.S. Haase、E.T. Ogawa 以及 Joe McPherson，98 應用物理期刊， 34503-34514（2005 年版）

　　3、《國際可靠性物理座談會》，作者：A. Berman，IEEE 1981 年版，第 204 頁

　　4、《國際可靠性物理座談會》，作者：Joe McPherson 和 D. Baglee，IEEE 1985 年版，第 1 頁

　　5、《84 應用物理期刊》，作者：Joe McPherson and H.C. Mogul，1513（1984 年版）

　　6、《統(tǒng)一的柵極氧化層可靠性模型》，作者：加利福尼亞大學伯克萊分校 (University of California at Berkeley) 的 Chenming Hu 與 Qiang Lu，IEDM 99-445-448

　　7、《超薄二氧化硅中經(jīng)時擊穿的統(tǒng)一模型》，作者：松下電子公司 (Matsushita Electronics Corporation) 的 Kenji Okada 與 Kenji Yoneda；IEEE 99CH36296，1999 年加利福尼亞州圣地亞哥第 37 屆國際可靠性物理座談會

　　8、《HCPL-0721 產(chǎn)品說明書》，安華高科技

　　9、《iCoupler 隔離技術(shù)：去除那些令人頭痛的光學耦合器》，美國模擬器件公司

　　10、《ADuM1100 產(chǎn)品說明書（修訂版 E）》，美國模擬器件公司

　　11、《ISO72x 產(chǎn)品說明書》，TI (SLLS629)

　　12、《針對工程人員的概率統(tǒng)計（第三版）》，作者：Irwin Miller、John E. Freund， Prentice Hall ISBN，0-13-711938-0