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          開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體器件

          作者: 時(shí)間:2012-09-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
           進(jìn)入21世紀(jì),技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展,這需要我國(guó)電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努力協(xié)作,沿著下述方向,開(kāi)發(fā)與相關(guān)的產(chǎn)品和技術(shù)。

            碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料,其優(yōu)點(diǎn)是禁帶寬,工作溫度高(可達(dá)600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、DNI結(jié)耐壓高等,有利于制造出耐高溫的高頻大功率的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。



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