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          一種新型超快速軟恢復外延二極管

          作者: 時間:2012-03-15 來源:網(wǎng)絡 收藏
          4.應用實例

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/230961.htm

          我們提供樣品APT860K應用在客戶500W單相UPS的中,如下:

          圖8 500W輸出的電路

          測試內(nèi)容包括系統(tǒng)的EMI,F(xiàn)RED和MOSFET的電壓,電流和溫升。

          圖9 APT860K的實際波形

          上圖為APT860K在電路中的波形。電流波形由于示波器的展開有些失真;電壓波形基本可以看出無任何的振蕩或過沖現(xiàn)象,不需要任何的吸收電路,降低成本。

          圖10 EMI測試波形

          上圖為客戶原先使用的常規(guī)二極管和APT8DQ60K的EMI水平掃描波形??梢悦黠@看出,軟恢復的二極管在抑制EMI方面有良好的性能。

          二極管

          EMI(裕量/dB)

          溫度(℃)

          垂直

          水平

          FRED

          MOS

          Non-Soft FRED 4A/600V

          0.3

          -1.8

          92.9

          86.9

          Competitor A 4A Soft FRED

          15.4

          11.0

          81.5

          45.9

          Competitor A 8A Soft FRED

          13.3

          13.8

          74.1

          45.7

          APT8DQ60K

          18.9

          16.0

          67.7

          45.2

          表2 500W PFC主要參數(shù)測量

          上表為主要測試參數(shù)的對比??梢悦黠@看出,同樣是4A/600V的管子,軟恢復的FRED能夠降低系統(tǒng)的EMI問題,降低FRED和MOS的溫升,提高系統(tǒng)效率。8A的FRED可以降低自己本身的損耗。相對于競爭對手A的二極管,APTDQ60K在降低本身損耗,降低系統(tǒng)EMI有更加明顯的效果。

          5.結論

          基于如上的參數(shù)描述和測試數(shù)據(jù),我們可以更好地理解Microsemi公司DQ系列二極管具有低漏電流,高雪崩耐量,超快速軟恢復,最高節(jié)溫可達1750C等優(yōu)點,并能理解這些優(yōu)點對用戶的產(chǎn)品設計有降低系統(tǒng)EMI和成本,提高系統(tǒng)效率和可靠性等方面的優(yōu)點。用戶在選擇二極管的時候應該綜合考慮trr,Qrr,IRRM等參數(shù)和其測試條件。

          目前Microsemi公司DQ系列的產(chǎn)品有600V,1000V,1200V三個電壓等級,全部產(chǎn)品都已經(jīng)滿足RoHS,為無鉛產(chǎn)品。分立封裝的電流額定范圍為8-100A。這個二極管芯片也應用在Microsemi公司的IGBT中作為反并聯(lián)續(xù)流用二極管來提高IGBT產(chǎn)品在橋式變換器中的可靠應用。在IGBT,MOSFET模塊產(chǎn)品中也應用了這個系列的二極管。

          600V的DQ二極管可以應用在各種開關電源的BOOST拓撲的PFC當中,如通信電源,UPS,電子鎮(zhèn)流器中,也可以用在單相交流輸入或低直流電壓輸入產(chǎn)品的逆變器中作為續(xù)流二極管,如便攜式單相焊機,太陽能逆變器等。1000V,1200V可以應用在三相交流輸入產(chǎn)品的橋式變換器中,如感應加熱,UPS,焊機等。

          參考文獻:
          1. “Defining Diode Data Sheet Parameters”,APT0301,Microsemi Corporation
          2. “APT DQ FRED Technology”, Shanqi Zhao, Advanced Power Technology
          3. “Power Electronics”, Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P, Robbins

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