1　引言

　　隨著開關(guān)頻率的提高以及功率密度的增加，開關(guān)電源內(nèi)部的電磁環(huán)境越來越復(fù)雜，其電磁兼容問題成為電源設(shè)計中的一大重點，同時也成為電源設(shè)計工作的一大難點。常規(guī)設(shè)計方法中，依靠經(jīng)驗設(shè)計處理EMC問題，樣機建立完畢之后才能對EMC問題做最后的考慮。傳統(tǒng)的EMC的補救辦法只能增加額外的元器件，而增加元件有可能影響原始的控制環(huán)帶寬，造成重新設(shè)計整個系統(tǒng)的最壞情況，增加了設(shè)計成本。為了避免出現(xiàn)這樣的情況，需要在設(shè)計過程中考慮EMC的問題，對開關(guān)電源的EMI進行一定精度的分析和預(yù)測，并根據(jù)干擾產(chǎn)生的機理及其在各頻帶的分布情況改進設(shè)計，降低EMI水平，從而降低設(shè)計成本。

　　2　開關(guān)電源EMI特點及分類

　　對開關(guān)電源傳導(dǎo)電磁干擾進行預(yù)測，首先需要明確其產(chǎn)生機理以及噪聲源的各項特性。由于功率開關(guān)管的高速開關(guān)動作，其電壓和電流變化率都很高，上升沿和下降沿包含了豐富的高次諧波，所以產(chǎn)生的電磁干擾強度大；開關(guān)電源的電磁干擾主要集中在二極管、功率開關(guān)器件以及與其相連的散熱器和高頻變壓器附近；由于開關(guān)管的開關(guān)頻率從幾十kHz到幾MHz，所以開關(guān)電源的干擾形式主要是傳導(dǎo)干擾和近場干擾。其中，傳導(dǎo)干擾會通過噪聲傳播路徑注入電網(wǎng)，干擾接入電網(wǎng)的其他設(shè)備。

　　開關(guān)電源傳導(dǎo)干擾分為2大類。

　　1）差模（DM）干擾。DM 噪聲主要由di/dt引起，通過寄生電感，電阻在火線和零線之間的回路中傳播，在兩根線之間產(chǎn)生電流Idm，不與地線構(gòu)成回路。

　　2）共模（CM）干擾。CM 噪聲主要由dv/dt引起，通過PCB的雜散電容在兩條電源線與地的回路中傳播，干擾侵入線路和地之間，干擾電流在兩條線上各流過二分之一，以地為公共回路；在實際電路中由于線路阻抗不平衡，使共模信號干擾會轉(zhuǎn)化為不易消除的串?dāng)_干擾。

　　3　開關(guān)電源EMI的仿真分析

　　從理論上來講，無論是時域仿真還是頻域仿真，只要建立了合理的分析模型，其仿真結(jié)果都能正確反映系統(tǒng)的EMI量化程度。

　　時域仿真方法需要建立變換器中包含所有元件參數(shù)的電路模型，利用PSPICE或Saber軟件進行仿真分析，使用快速傅里葉分析工具得到EMI的頻譜波形，這種方法在DM 噪聲的分析中已經(jīng)得到了驗證。然而開關(guān)電源中的非線性元件如MOSFET，IGBT 等半導(dǎo)體器件，其非線性特性和雜散參數(shù)使模型非常復(fù)雜，同時開關(guān)電源電路工作時其電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不斷改變，導(dǎo)致了仿真中出現(xiàn)不收斂的問題。在研究CM 噪聲時，必須包含所有的寄生元件參數(shù)，由于寄生參數(shù)的影響，F(xiàn)FT結(jié)果和實驗結(jié)果很難吻合；開關(guān)功率變換器通常工作在很大的時間常數(shù)范圍內(nèi)，主要包括3組時間常數(shù)：與輸出端的基本頻率有關(guān)的時間常數(shù)（幾十ms）；與開關(guān)元件的開關(guān)頻率有關(guān)的時間常數(shù)（幾十μｓ）；與開關(guān)元件導(dǎo)通或關(guān)斷時的上升時間和下降時間有關(guān)的時間常數(shù)（幾ns）。

　　正因如此，在時域仿真中，必須使用非常小的計算步長，并且需要用很長時間才能完成計算；另外，時域方法得到的結(jié)果往往不能清晰地分析電路中各個變量對干擾的影響，不能深層解釋開關(guān)電源的EMI行為，而且缺乏對EMI機理的判斷，不能為降低EMI給出明確的解決方案。

　　頻域仿真是基于噪聲源和傳播途徑阻抗模型基礎(chǔ)上的分析方法。利用LISN為噪聲源提供標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載阻抗。如圖1所示，從LISN看過去，整個系統(tǒng)可以簡化成噪聲源、噪聲路徑和噪聲接收器（LISN）。頻域方法可以大大降低仿真計算的時間，一般不會出現(xiàn)計算結(jié)果不收斂的情況。

圖1　噪聲源與傳播路徑概念

　　圖1中，噪聲路徑包括PCB傳導(dǎo)、耦合路徑，散熱片電容耦合路徑，變壓器耦合路徑等。

　　4　基于頻域方法的SMPS等效電路模型

　　對開關(guān)電源進行頻域仿真，首先要建立開關(guān)電源的頻域仿真模型。開關(guān)電源EMI頻域預(yù)測的重點是對噪聲路徑的建模，其中包括：無源器件的高頻模型；PCB及結(jié)構(gòu)寄生參數(shù)的抽取。

　　在考慮無源器件、PCB及結(jié)構(gòu)寄生參數(shù)的基礎(chǔ)上，建立開關(guān)電源集中參數(shù)的電路模型，可以通過計算或仿真得到該電路的阻抗，諧振點等，從而為降低EMI提供有力的依據(jù)。

　　由于差模噪聲和共模噪聲的傳播路徑不同，有必要對DM 傳播路徑和CM 傳播路徑分別建模。這樣可以更好地分析各種干擾的特點，而且還可以為設(shè)計濾波器提供有力的依據(jù)。

　　4.1　噪聲源的模型建立

　　由于需要分別對DM 噪聲和CM 噪聲進行分析，所以對DM 噪聲源和CM 噪聲源也需要分別建模。M.Nave在文獻［3］中提出使用電流源作為DM 噪聲源，使用電壓源作為CM 噪聲源的方法，就是因為DM 噪聲主要由di/dt引起，而CM 噪聲則主要由dv/dt引起。文獻［4］在此基礎(chǔ)上對CM 噪聲源進行了改進，考慮了電壓過沖和下沖，并且在線路阻抗近似平衡的情況下，利用DM 電流源和一個電壓源來表示CM 噪聲源（如圖2所示）。

圖2　共模噪聲源的表示

　　文獻基本都是用梯形波來表示噪聲源的，但實際中并不是每個電路中的開關(guān)器件的波形都能很好地用梯形波近似，圖3所示即為一個反激電源開關(guān)管的電流電壓波形，除了梯形波之外，還有電流尖峰，電壓過沖和下沖等分量，會導(dǎo)致噪聲源的頻譜與梯形波有一定的不同。所以不能盲目地使用梯形波來表征噪聲源，而是需要對電路進行分析或者仿真，從而得到開關(guān)器件的電流或電壓波形，基于此波形再對噪聲源進行建模，這樣才能更精確地反映開關(guān)電源的電磁干擾。

圖3　某反激電源開關(guān)管的電流電壓波形

　　4.2　無源器件的高頻模型

　　在EMI的頻率范圍內(nèi)，常用的無源器件都不能再被認(rèn)為是理想的，他們的寄生參數(shù)嚴(yán)重影響著其高頻特性。

　　在各種無源器件中，電阻、電感和電容的高頻等效寄生參數(shù)可以用高頻阻抗分析儀測得。表1所示為各種無源器件的理想模型和高頻等效模型。

表1　電阻、電容、電感及變壓器的高頻等效模型

　　對于高頻變壓器，提出可以使用有限元分析方法和實驗測量法求取，從而可以得到漏感、原副邊自電容和原副邊互電容這些引起電路震蕩、增加傳導(dǎo)EMI的主要參數(shù)。使用ansoft公司的Maxwell仿真軟件，可以通過輸入變壓器的繞組和磁芯的幾何尺寸與電磁參數(shù)，利用有限元分析的方法得到各寄生參數(shù)。實驗測量法的總體思路就是在所建立模型的基礎(chǔ)上，推導(dǎo)出變壓器在不同工作狀態(tài)下的阻抗特性（如原副邊繞組開路，短路的不同組合）方程，然后測量這些狀態(tài)下的阻抗，從而得到漏感和寄生電容。

　　4.3　PCB及結(jié)構(gòu)寄生參數(shù)的提取

　　除了元器件選取、電路及其結(jié)構(gòu)設(shè)計，PCB的布局、布線設(shè)計、線路板加工對電磁兼容會造成很大影響，是一個非常重要的設(shè)計環(huán)節(jié)。由于開關(guān)電源的PCB布線基本上都是依據(jù)經(jīng)驗手工布置，有很大的隨意性，這就增加了PCB分布參數(shù)提取的難度。PCB的寄生參數(shù)會造成開關(guān)電源噪聲傳播途徑的阻抗變化，影響控制器對開關(guān)電源輸出電壓電流的控制作用。PCB的布局不合理還會形成開關(guān)電源向外輻射電磁干擾的途徑，同時也會通過該途徑吸收外界電磁干擾，從而降低開關(guān)電源的電磁干擾抗擾度。所以PCB的布局布線是開關(guān)電源EMC設(shè)計中極為重要的環(huán)節(jié)。

　　對于傳導(dǎo)干擾，寄生參數(shù)的提取精確度是通過仿真有效預(yù)測EMI水平的關(guān)鍵。盡管對于結(jié)構(gòu)簡單的元件來說，寄生參數(shù)是很容易計算的，但是對于復(fù)雜結(jié)構(gòu)中的元件來說，并不是那么容易就能得到寄生參數(shù)，例如多層板和直流母線的寄生參數(shù)。

　　為了建立開關(guān)電源PCB的高頻模型，需要對PCB的結(jié)構(gòu)寄生參數(shù)進行抽取。提