逐次逼近型ADC是采樣速率低于5 MS/s的中高分辨率應用的常見結構，SAR ADC的分辨率一般為8~16位，具有低功耗、小尺寸等特點，因此具有較寬的應用范圍，如：便攜式儀器電池供電儀表、工業(yè)控制和數據/信號采集器等[1]。
在現有工藝水平下，由于受電容失配、系統(tǒng)失調以及噪聲等因素的限制，采用電荷再分配結構的SAR ADC能夠達到的最高精度被限制在12位左右[2]。因此，高精度ADC設計必須依靠校準技術。一般校準技術有兩類：模擬校準技術是在模擬領域把相關的量調整到正常數值或者利用激光對芯片元件進行修正，但這種技術成本高，且容易受到封裝時機械應力的影響；還有一種數字校準技術，通過把電路中失配誤差等影響在數字領域描述，然后在數字領域對輸出代碼進行調整，而不關心模擬領域的物理量數值[3]。數字校準是現行校準技術的主流。
提出一種基于二進制加權電容陣列DAC的數字校準算法，用一個低精度的DAC表示各個待校準電容的失配誤差值，然后在AD轉換過程中，將相應的誤差電壓加載到電容陣列中，實現對電容網絡的校準。
1 SAR ADC內核原理
SAR ADC的基本結構由比較器、DAC、SAR邏輯控制電路組成，如圖1所示。

基本工作過程：首先模擬輸入Vin被采樣保持，送入比較器的一端， N位SAR寄存器的初始值為中間值（即100……00），DAC將該值轉換為對應模擬量VDAC=VREF/2(VREF是ADC的基準電壓)。比較器開始比較Vin與VDAC的大小。若Vin>VDAC，則比較器輸出1，SAR寄存器的最高位保持，次高位預置為1；反之，比較器輸出0，SAR寄存器的最高位為0，次高位預置為1，ADC進行下一次比較。這樣反復逐次比較直到SAR寄存器的最低位，寄存器中保存的N位數字量就是ADC的轉換結果。
2 數字校準算法
數字校準算法的基本思想是在ADC正常使用前，先計算電容失配等的一些非線性誤差，把誤差相應地在數字領域用校準碼形式描述，并在正常工作過程中把這些校準碼加載到電路中進行誤差校準，從而達到校準失配的目的。校準碼的產生和使用有不同的算法[4，5]，本文設計了一種從低位到高位電容依次校準的思想。
2.1 校準碼產生的算法原理說明
本設計中采用對稱的分段電容結構，如圖2。對稱差分結構使得比較器輸入負載相等，消除比較器的共模噪聲，提高信噪比；分段電容陣列采用高位與低位通過過渡電容耦合的結構，保證了MSB的高精度以及LSB的單調性。N（N=M+K）位的SAR ADC由左右側差分結構的高M位DAC以及左側低K位的DAC構成，右側低K位則用于校準電容陣列的失配誤差。

產生校準碼的工作過程中，設置兩種電容陣列工作狀態(tài)：Φ1工作狀態(tài)下接入一組電容，并將左右側電容陣列的輸出與比較器的輸入端斷開（比較器兩端輸入均為0），同時電容陣列輸出端接共模電平VCM；Φ2工作狀態(tài)下接入另一組電容，輸出接比較器兩端的輸入端進行比較。通過兩種工作時序的切換，根據電荷守恒以及電荷重分配原理，待校準電容之間的失配誤差可以通過右側低K位的校準電容陣列表示出來。
下面以高位電容為例，分析校準碼產生原理細節(jié)。圖3為在兩個不同的工作狀態(tài)下左側電容陣列的等效模型。

圖3中，CLN表示左側電容陣列中除了C1、C2電容外的所有電容之和，C1表示已經校準的所有電容之和，C2表示目前待校準的電容，且C1、C2為相鄰的兩組電容，設CT表示左側電容陣列總電容值，即有CLN+C1+C2=CT。VL端接入比較器的一個輸入端，根據Φ1、Φ2兩種工作狀態(tài)下的電荷守恒原理，則有：

式(4)中，C1是已校準電容，且C2與C1之間有相互聯(lián)系的權重關系，而C2與C1之間的失配誤差可以通過CV描述出來。CV的值對應右側低K位電容陣列的開關二進制值，即將電容失配誤差的影響通過數字域描述出來，并在正常轉換過程中，將這些誤差通過相應的處理后加載在電路中，實現校準誤差的效果。
2.2 SAR ADC校準算法的實現
假設單位電容的失配誤差為?駐，通過對應位電容數量的加和，可以近似模擬高位電容誤差的統(tǒng)計分布情況。當每位電容的統(tǒng)計誤差與其對應的權重(2n)乘積超過單位權值時，需要考慮對此位進行校準。
現假設需要校準的最低位電容CL1為左側低K位電容陣列中的某電容。將CL1低一位的電容C0視為基準電容值，高位電容則需要依次校準為2i×C0，以達到相互匹配的關系。首先需要用右側低位校準電容陣列表示出基準電容C0的大小。在Φ1工作狀態(tài)，左右側電容陣列均不接入電容，輸出接共模電平。Φ2工作狀態(tài)，左側電容陣列接入C0，同時右側低位校準電容陣列接入可變的Cv0電容，觀察比較器的輸出，當比較器輸出發(fā)生跳變時，有：

Calib集合保存的是對應位電容的校準碼值，在正常的SAR ADC模數轉化過程中，加載到右側低位的校準電容陣列中，與對應待校準電容的共同作用下，起到校準電容失配誤差的效果。
3 系統(tǒng)行為級仿真及結果分析
設置單位電容的失配誤差為0.5%，建立帶有統(tǒng)計分布失配誤差的14 bit電容陣列模型。由于本次的系統(tǒng)行為級仿真是為了驗證校準算法的正確性及有效性，因此，設計比較器為理想的比較器，可以實現無限精度的比較。
系統(tǒng)級仿真內容包括采用碼密度直方圖方式仿真微分非線性（DNL）和積分非線性（INL）等常規(guī)靜態(tài)參數，并采用FFT法進行頻譜分析，仿真信噪比、信噪失真比和有效位數等動態(tài)參數[6]。
進行靜態(tài)參數仿真時，滿足0.3LSB精度、95%置信度，仿真點數設置為220個。
對于ADC的頻譜分析，設置采樣頻率fs為200 kHz，采樣點數為N為8 192個點，采樣的周期數M為129個。

SAR ADC在未進行數字校準時，由于電容之間的失配誤差導致ADC非線性，引起頻譜的失真，在頻譜圖上表現出明顯的諧波，造成信噪比以及有效位數都比較低。從仿真結果(見圖5、圖6)可以看出信號噪聲失真比SNDR為72.9 dB，有效位數僅為11.82 bit。靜態(tài)參數INL、DNL分別為2.86 LSB、5.01 LSB，說明存在嚴重的失碼。

在相同采樣頻率及輸入信號的情況下，對SAR ADC進行數字校準。從仿真結果可以看出(見圖7、圖8)，校準后，ADC的非線性有了明顯改善，SNDR有明顯的提高，為85.1 dB，有效位數為13.85 bit，接近理想的轉換位數。靜態(tài)參數INL、DNL分別為0.25 LSB、0.26 LSB。

本文詳細介紹了一種基于二進制加權電容陣列SAR ADC的數字校準算法。該算法通過利用兩種不同工作狀態(tài)下電容陣列電荷守恒以及電荷重分配原理，實現由低位到高位依次校準電容的目的，大大改善了整體SAR ADC由電容失配引起的非線性。通過對實際14 bit SAR ADC系統(tǒng)級的仿真可以看到，在加入校準算法后，ADC的信噪比以及有效位數得到明顯的提高，非線性失真很大程度上得到了抑制，即驗證了本校準算法的正確性和有效性，為高精度SAR ADC的設計提供了有效而且易于實現的數字校準算法。
參考文獻
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[3] 戴瀾，周玉梅，胡曉宇，等．一種流水線ADC數字校準算法實現[J]．半導體學報，2008，29(5)：993-997.
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[6] 王衛(wèi)江，陶然.高速ADC的性能測試[J].電子技術應用，2004，30(2)：33-34.